研究者
J-GLOBAL ID:200901064064798835
更新日: 2022年09月13日
水野 清義
ミズノ セイギ | Mizuno Seigi
所属機関・部署:
九州大学 大学院総合理工学研究院 エネルギー物質科学部門
九州大学 大学院総合理工学研究院 エネルギー物質科学部門 について
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職名:
助教授・准教授
ホームページURL (1件):
http://leed4.mm.kyushu-u.ac.jp
研究分野 (3件):
薄膜、表面界面物性
, 磁性、超伝導、強相関系
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (2件):
表面科学
, Surface Science
競争的資金等の研究課題 (2件):
固体表面上の構造に関する研究
Study on Surface structure
MISC (70件):
Jo Onoda, Faridur Rahman, Seigi Mizuno. Field emission from W tips sharpened by field-assisted nitrogen and oxygen etching. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 2008. 6. 152-156
Faridur Rahman, Jo Onoda, Koji Imaizumi, Seigi Mizuno. Field-assisted oxygen etching for sharp field-emission tip. SURFACE SCIENCE. 2008. 602. 12. 2128-2134
Ming-Shu Chen, Seigi Mizuno, Hiroshi Tochihara. Asymmetric adsorption-site of potassium atoms in the (3 x 2)-p2mg structure formed on Cu(001). SURFACE SCIENCE. 2007. 601. 22. 5162-5169
Tetsuroh Shirasawa, Kenjiro Hayashi, Seigi Mizuno, Satoru Tanaka, Kan Nakatsuji, Fumio Komori, Hiroshi Tochihara. Epitaxial silicon oxynitride layer on a 6H-SiC(0001) surface. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2007. 98. 13. 136105-1-4
Kazuyuki Sakamoto, P. E. J. Eriksson, Seigi Mizuno, Nobuo Ueno, Hiroshi Tochihara, R. I. G. Uhrberg. Core-level photoemission study of thallium adsorbed on a Si(111)-(7x7) surface: Valence state of thallium and the charge state of surface Si atoms. PHYSICAL REVIEW B. 2006. 74. 7. 075335
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特許 (7件):
電子源用探針およびその製造方法
成膜体およびその製造方法
電子源用探針
電界放出低速電子回折用引き込み電極及びそれを用いた電子回折装置
電界放射型低速電子回折装置
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書籍 (3件):
計算シミュレーションと分析データ解析第2部5.1「LEED」95-105ページ
丸善 2008
第5版実験化学講座24巻“表面・界面”3.9「低速電子線回折」214-222ページ
丸善 2007
表面・界面工学大系上巻17章8節「低速電子回折」728-737ページ
フジ・テクノシステム 2005
学位 (2件):
修士(理学) (東京都立大学)
博士(理学) (東京大学)
所属学会 (5件):
日本真空協会
, 日本表面科学会
, 応用物理学会
, 日本化学会
, 日本物理学会
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