研究者
J-GLOBAL ID:200901066642650172
更新日: 2020年08月27日
大谷 茂樹
オオタニ シゲキ | Otani Shigeki
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所属機関・部署:
独立行政法人物質・材料研究機構 物質探索領域ホウ化物グループ
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職名:
主任研究員
研究キーワード (6件):
フローティング・ゾーン法
, 非酸化物
, 高融点結晶
, Floating zone method
, Non-oxide
, Refractory crystals
競争的資金等の研究課題 (2件):
高融点結晶の育成
Growth of refractory crystals
MISC (20件):
S. Otani, M. M. Korsukova, T. Mitsuhashi. Preparation of HfB2 and ZrB2 single crystals by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth. 1998. 186. 4. 582-586
S. Otani, M. M. Korsukova, T. Mitsuhashi. Preparation of HfB2 and ZrB2 single crystals by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth. 1998. 186. 4. 582-586
Shigeki Otani, Yoshio Ishizawa. Preparation of ZrB2 single crystals by the floating zone method. Journal of Crystal Growth. 1996. 165. 3. 319-322
Shigeki Otani, Yoshio Ishizawa. Preparation of ZrB2 single crystals by the floating zone method. Journal of Crystal Growth. 1996. 165. 3. 319-322
Shigeki Otani, Yoshio Ishizawa. Preparation of WB2-x single crystals by the floating zone method. Journal of Crystal Growth. 1995. 154. 1-2. 81-84
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特許 (4件):
Va族ニホウ化物単結晶の育成法
六ホウ化カルシウム結晶の育成方法
ニホウ化ハフニウム単結晶の製造方法
六ホウ化希土類電子放射材
学歴 (3件):
大阪大学理学部
大阪大学大学院理学研究科前期課程
Osaka University, Department of Science
学位 (1件):
理学博士
経歴 (1件):
1978 - 科学技術庁無機材質研究所入所
受賞 (1件):
日本セラミックス協会学術賞(1997年)
所属学会 (6件):
日本化学会
, 日本セラミックス協会
, 応用物理学会
, The Japan Society of Applied Physics
, The Ceramics Society of Japan
, Chemical Society of Japan
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