山田明

ヤマダアキラ | Yamada Akira

所属機関・部署：
職名：教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (2件)：

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (1件)：太陽電池、半導体物性、電子デバイス

競争的資金等の研究課題 (23件)：

2003 - 2005 歪Si_<1-y>C_yを用いた高移動度トランジスタの開発

2003 - 2004 カーボンナノチューブの配向制御と自己整合型トランジスタへの応用

2001 - 2003 AFM陽極酸化法によるInAs量子ドット位置制御法の開発およびSETへの応用

1999 - 2000 高抵抗ZnOをバッファ層に用いた高効率Cu(InGa)Se_2薄膜太陽電池の開発

1999 - 2000 歪みSiを用いたキャリアの高移動度化に関する基礎研究

1998 - 2000 メタリックp形GaAsのナノ加工技術開発と単一正孔トランジスタへの展開

1998 - 1999 Si-Ge-Cのエピタキシャル成長とバンド不連続制御

1997 - 1998 原子層成長法による超均一・低抵抗ZnO薄膜の開発

1997 - 1998 高電子濃度窒化インジウム薄膜の極低温電気伝導機構に関する研究

1994 - 1996 光MOCVD法による配向制御ZnO透明導電膜の開発

1994 - 1995 遷移金属の触媒効果を用いたZnSeへのNド-ピングに関する研究

1994 - 1994 超高濃度ドープ半導体を用いた超伝導体-半導体-超伝導体接合に関する基礎研究

1993 - 1993 層状構造III-VI族化合物半導体超格子に関する基礎研究

1992 - 1993 III-VI族化合物半導体における空孔の配列制御と光学的異方性

1992 - 1992 水素ラジカル制御によるSiへの超高濃度ドーピングに関する研究

1991 - 1991 重水素添加光CVD法による超高濃度・高品質Si薄膜の低温結晶成長

1990 - 1990 SiGe薄膜への超高濃度ドーピングに関する研究

1989 - 1990 メタリックp形ベ-ス・ヘテロ接合バイポ-ラトランジスタの研究

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論文 (169件)：

Akihiro Funaki, Yohei Araki, Takahito Nishimura, Akira Yamada. Fabrication of In₂S₃ and In-Ga-S Thin Films via Atmosphere-Controlled Fine-Channel Mist Chemical Vapor Deposition. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 2024
Yota Suzuki, Dwinanri Egyna, Tomoki Shibata, Takahito Nishimura, Akira Yamada. Mechanism analysis of CuInS₂ and Cu(In,Ga)S₂ growth via KCN- and H₂S-free process and solar-cell application. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SK. SK1032-SK1032
Akihiro Funaki, Fumiya Furumaki, Takahito Nishimura, Akira Yamada. Development of n-type Zn(O, S) buffer layer deposited by open-air CVD method for Cu(In, Ga)Se₂ solar cells. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SK. SK1027-SK1027
Ryotaro Fukuda, Shinkai Shimizu, Takahito Nishimura, Akira Yamada. Analysis of EBIC time-variation using 2D simulation including charge states in V _Se-V _Cu divacancy complex. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SK. SK1017-SK1017
Ryotaro Fukuda, Takahito Nishimura, Akira Yamada. Experimental and theoretical EBIC analysis for grain boundary and CdS/Cu (In, Ga)Se ₂ heterointerface in Cu (In, Ga)Se ₂ solar cells. Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 2023. 31. 7. 678-689

MISC (75件)：

Takahito Nishimura, Hiroki Sugiura, Kazuyoshi Nakada, Akira Yamada. Characterization of Interface Between Accurately Controlled Cu-Deficient Layer and Cu(In,Ga)Se2 Absorber for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells. Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 2018. 12. 8
Takahito Nishimura, Yoshiaki Hirai, Yasuyoshi Kurokawa, Akira Yamada. Theoretical and experimental investigation of the recombination reduction at surface and grain boundaries in Cu(In,Ga)Se2 solar cells by valence band control. MRS Proceedings. 2015. 1771. 125-131
山田明. さまざまな太陽電池の特徴. 応用物理. 2013. 82. 2. 163-166
Yoshiaki Hirai, Ryotaro Suzuki, Yasuyoshi Kurokawa, Akira Yamada. Numerical Simulation about Effects of Bandgap Grading in Cu(In,Ga)Se-2 with a Bandgap of 1.4 eV on Solar Cell Performance. 2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC). 2013. 3307-3309
Synthesis of Cu2ZnSn(S,Se)4 Nanoparticles for Application in Low-Cost Solar Cells. 2012. 5. 1

学歴 (2件)：

経歴 (6件)：

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委員歴 (2件)：

受賞 (9件)：

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所属学会 (2件)：

電気学会 , 応用物理学会

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山田 明