田渕雅夫

タブチマサオ | Tabuchi Masao

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

論文 (9件)：

Iori Morita, Fumitaro Ishikawa, Anna Honda, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Masao Tabuchi. AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. SB. SBBK02-SBBK02
T. Nishitani, T. Maekawa, M. Tabuchi, T. Meguro, Y. Honda, H. Amano. Photocathode electron beam sources using GaN and InGaN with NEA surface. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2015. 9363
Tomohiro Nishitani, Masao Tabuchi, Hiroshi Amano, Takuya Maekawa, Makoto Kuwahara, Takashi Meguro. Photoemission lifetime of a negative electron affinity gallium nitride photocathode. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2014. 32. 6
K. Tsubota, M. Tabuchi, T. Nishitani, A. Era, Y. Takeda. Analysis of Cs/GaAs NEA surface by XAFS. Journal of Physics: Conference Series. 2013. 430. 1
A. Era, M. Tabuchi, T. Nishitani, Y. Takeda. A study on XAFS analysis of Cs/GaAs NEA surface. Journal of Physics: Conference Series. 2011. 298. 1

MISC (4件)：

森田伊織, 石川史太郎, 西谷智博, 田渕雅夫. AlGaAs系半導体材料を用いたフォトカソードのMBE成長. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2020. 2020.1. 3005-3005
森田伊織, 石川史太郎, 西谷智博, 田渕雅夫. フォトカソード応用AlGaAs超格子試料のMBE成長. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2019. 2019.2. 3456-3456
田渕雅夫, 西谷智博. セシウム吸着半導体極表面のシンクロトロン光を用いた解析. 表面科学学術講演会要旨集. 2016. 36. 3
Tomohiro Nishitani, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, Yuji Suzuki, Kazuya Motoki, Takashi Meguro. High-Brightness Spin-Polarized Electron Source Using Semiconductor Photocathodes. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2009. 48. 6. 06FF02.1-06FF02.3

学歴 (1件)：

学位 (2件)：

経歴 (4件)：

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田渕 雅夫