研究者
J-GLOBAL ID：200901070678743026   更新日: 2024年05月10日

中山 隆史

ナカヤマ タカシ | Nakayama Takashi
所属機関・部署：
千葉大学 理学部 物理学科

千葉大学 理学部 物理学科 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://phys8.s.chiba-u.ac.jp/nakayamal/index.html
研究分野 (1件)： 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (2件)： 表面・界面 surface/interface 第一原理計算 first-principles calculation 物性理論 theoretical condensed matter 結晶成長 crystal growth ナノサイエンス nanoscience 光物性 photo physics 量子輸送 quantum transport 量子生物学 quantum biology 電子構造 electronic structure ,  surface/interface first-principles calculation theoretical condensed matter crystal growth nanoscience photo physics quantum transport quantum biology electronic structure
競争的資金等の研究課題 (33件)：
  • 2020 - 2023 金属/半導体界面におけるギャップ状態の消滅機構・電場下での変形の理論
  • 2017 - 2020 電場下の金属/固体界面における金属原子のイオン化と拡散の理論
  • 2015 - 2018 新規IV族系二次元物質の創製
  • 2014 - 2017 第一原理計算に基づく有機半導体中の不純物欠陥の理論
  • 2010 - 2015 第一原理分子動力学法による構造サンプリングと非平衡ダイナミクス
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論文 (163件)：
  • Shun Matsuda, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama. First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO2 interface. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP69-02SP69
  • Ami Tomita, Takashi Nakayama. Photo-carrier induced composition separation in mixed-halide CsPb(I x Br1-x )3 perovskite semiconductors; first-principles calculation. Applied Physics Express. 2023. 16. 4. 041002-041002
  • Shunta Watanabe, Yoko Tomita, Kohei Kawabata, Takashi Nakayama. Clustering feature of metal atoms in pentacene molecular solids: a first-principles study. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. 2. 021003-021003
  • Shunta Watanabe, Takashi Nakayama. Impacts of terminal molecules on metal-atom diffusion into alkane self-assembled-monolayer films: first-principles study. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 12. 125505-125505
  • Sanghun Cho, Takashi Nakayama. New types of resonant tunneling currents at Si-p/n junctions: one-dimensional model calculation. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 5. 054002-1-054002-7
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MISC (142件)：
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特許 (2件)：
  • 半導体素子、半導体集積回路及び半導体素子の製造方法
  • 電界効果トランジスタの製造方法,並びに半導体デバイスの 製造方法及びその装置
書籍 (2件)：
  • 計算科学に基づく半導体ナノ界面構造と電子物性の評価
    NTS出版 2013
  • Role of computational science in Si nanptechnologies and devices
    Oxford University Press 2010
講演・口頭発表等 (9件)：
  • Physics of gap-state control at metal/semiconductor junctions; Schottky barrier and interface defects (invited)
    (19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019 2019)
  • Physical origin of excellent data retention over 10years at sub-μA operation in AgW-alloy ionic memory
    (2019 IEEE 11th International Memory Workshop, IMW 2019 2019)
  • Physical Origin of Excellent Data Retention over 10years at sub-mu A Operation in AgW-Alloy Ionic Memory
    (2019 IEEE 11TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW 2019) 2019)
  • Quantum processes of exciton scattering at organic solar-cell interfaces (invited)
    (Energy Materials Nanotechnology Meeting, Qingdao Chiba, Jun.7-10 (2916) 2016)
  • 二酸化チタン表面欠陥の反応における電場効果
    (日本物理学会講演概要集 2016)
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Works (7件)：
  • Photonic Band Structure
    1996 - 2004
  • フォトニックバンド構造
    1996 - 2004
  • Study on Optical Nonlinearity in Semicondoctors
    1994 - 2004
  • 半導体の光学非線形性の研究
    1994 - 2004
  • 超高密度・超高速情報処理用短波長半導体光デバイスの開発研究
    1994 - 2000
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学歴 (2件)：
  • - 1986 東京大学 理学系研究科 物理学専攻
  • - 1982 東京大学 理学部 物理学科
学位 (1件)：
  • 理学博士 (東京大学)
経歴 (3件)：
  • 2000 - 現在 千葉大学 大学院理学研究院 教授
  • 1994 - 2000 千葉大学 理学部 助教授
  • 1986 - 1994 千葉大学 理学部 助手
所属学会 (5件)：
Material Research Society of Japan ,  日本表面科学会 ,  日本結晶成長学会 ,  応用物理学会 ,  日本物理学会
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