研究者
J-GLOBAL ID：200901072122668281   更新日: 2020年08月30日

原田 義之

ハラダ ヨシユキ | Harada Yoshiyuki
所属機関・部署：
大阪工業大学 工学部 一般教育科

大阪工業大学 工学部 一般教育科 について


職名： 助教授
研究分野 (1件)： 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (3件)： 固体物性(]G0001[)(光物性・半導体・誘電体) ,  Semiconductor and Dielectrics) ,  Solid-State Physics (]G0001[)(Optical Properties
競争的資金等の研究課題 (2件)：
  • 1995 - ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究
  • 1995 - Study on optical properties of wide-gap semiconductors
MISC (94件)：
  • Si(111)基板上に成長させた六方晶InN薄膜結晶のアニールによって形成したIn2O3粒界の影響. 応用物理学会ジャーナル. 2003. 43, No.2A/, L139-L141
  • ECRプラズマによるMBE法を用いてSi(111)とサファイア(0001)基板上に成長させたInN薄膜の2.2eV近傍の可視発光. phys.stat.sol.(c). 2003. 2802-2805
  • ECRプラズマによるMBEを用いたInN成長下での基板バイアス電圧効果. phys.stat.sol.(c). 2003. 2545-2548
  • ECRプラズマによるMBE法を用いてSi(111)基板上に成長させたGaN薄膜の低温成長. 第22回電子材料シンポジウム. 2003. 191-192
  • ECRプラズマによるMBE法を用いてSi(111)とサファイア(0001)基板上に成長させたInN薄膜の2.2eV近傍の可視発光. 第5回窒化物半導体国際会議論文集、ICNS-5. 2003. 412
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書籍 (10件)：
  • 遠赤外光を用いたClをドープしたZnSeの深い欠陥の格子緩和現象の研究
    第23回半導体国際会議プロシーディング 1996
  • Far-infrared Study on Lattice Relaxation Phenomenon of Deep Defects in Cl-doped ZnSe
    Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors 1996
  • 補償化したGeにおける不均一電場による内部シュタルク効果
    第19回赤外とミリ波国際会議 1994
  • Internal Stark Effect by Inhomogeneous Electric Fields in Compensated Ge
    Proceedings of the 19th International Conference on Infrared and Millimeter Waves 1994
  • Bi系高Tc超伝導体の赤外吸収
    高超伝導体の電子物性と構造(edited by T.Oguchi, K.Kadowaki and T.Sasaki) 1992
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学歴 (6件)：
  • - 1995 大阪大学 理学研究科 物理学
  • - 1995 大阪大学
  • - 1992 大阪府立大学 総合科学研究科 物質科学
  • - 1992 University of Osaka Prefecture Graduate School, Division of General Science Material science
  • - 1990 京都教育大学 教育学部 特修理学
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学位 (1件)：
  • 博士(理学) (大阪大学)
経歴 (4件)：
  • 1995 - 1996 理化学研究所 奨励研究員
  • 1995 - 1996 Researcher,
  • "RIKEN"
  • The Institute of Physical and Chemical Research.
所属学会 (2件)：
応用物理学会 ,  日本物理学会
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