研究者
J-GLOBAL ID:200901072771140148   更新日: 2024年07月25日

西村 智朗

ニシムラ トモアキ | Nishimura Tomoaki
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (3件): 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (2件): 半導体 ,  イオン散乱
競争的資金等の研究課題 (5件):
  • 2020 - 2025 ダイヤモンドパワーデバイス実現に向けたイオン注入プロセスに関する研究
  • 2018 - 2022 量子センサーの電気的制御を室温で実現するランタノイド注入GaNダイオード
  • 2009 - 2010 高励起原子を用いた微弱電場計測手法の開発
  • 2008 - 2010 動的カシミア効果の研究
  • 1999 - 2001 イオン散乱・光電子分光によるSi、SiC表面初期酸化の機構解明とその制御法の確立
論文 (89件):
  • K. Mochizuki, T. Nishimura, T. Mishima. Estimation of Electronic Stopping Cross Sections of 4H-SiC for 2-26 MeV Al Random-Ion Implantations. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 098001
  • K. Mochizuki, T. Nishimura, T. Mishima. Re-evaluation of energy dependence of electronic stopping cross-section for Al ions into 4H-SiC(0001). Jpn. J. Appl. Phys. 2022. 61. 110902
  • S. Sato, S. Li, A. D. Greentree, M. Deki, T. Nishimura, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, B. C. Gibson, et al. Photon extraction enhancement of praseodymium ions in gallium nitride nanopillars. Sci. Rep. 2022. 12. 21208
  • T. Hidaka, K. Nakamura, H. Yoshimoto, R. Suzuki, Y. Zhao, Y. Ishiguro, T. Nishimura, K. Takai. Changing the structural and electronic properties of graphene and related two-dimensional materials using ion beam irradiation with NaCl sacrificial layers. Carbon Reports. 2022. 1. 22-31
  • Tomoaki Nishimura, Tetsu Kachi. Simulation of channeled implantation of magnesium ions in gallium nitride. Applied Physics Express. 2021. 14. 116502
もっと見る
MISC (1件):
  • E. Garfunkel, D. Starodub, S. Sayan, L. Goncharova, T. Gustafsson, D. Vanderbilt, R. A. Bartynski, Y. J. Chabal, T. Nishimura. Ion Scattering Studies of High-K Gate Stacks. Abstracts of papers of the American Chemical Society. 2003. 226. U387-U387
書籍 (1件):
  • 図説 表面分析ハンドブック
    朝倉書店 2021 ISBN:9784254201703
講演・口頭発表等 (104件):
  • 金属の照射損傷構造に及ぼす荷電粒子のパルス照射の効果
    (京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」 2023)
  • 4H-SiC(0001)へのAlチャネリングイオン注入に対する電子阻止断面積の再評価
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • リンドープn形ダイヤモンドへのホウ素イオン注入によるp形伝導層の形成
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • 4H-SiCへのチャネリングイオン注入における臨界角のシミュレーション
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • WBG半導体におけるイオン注入
    (先進パワー半導体分科会第9回講演会 チュートリアル講演 2022)
もっと見る
学歴 (1件):
  • 1996 - 1999 立命館大学 理工学研究科 総合理工学
学位 (1件):
  • 理学博士 (立命館大学)
経歴 (9件):
  • 2012/04 - 現在 法政大学 イオンビーム工学研究所 教授
  • 2009/04 - 2012/03 法政大学 イオンビーム工学研究所 准教授
  • 2004/04 - 2009/03 立命館大学 総合理工学部 専任講師
  • 2002/11/01 - 2004/03/31 産業技術総合研究所 特別研究員
  • 2002/11 - 2004/03 産業技術総合研究所 特別研究員
全件表示
委員歴 (1件):
  • 2008/11 - 2009/10 日本物理学会 領域1 放射線分科会世話人
所属学会 (2件):
日本物理学会 ,  応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る