研究者
J-GLOBAL ID：200901073387465621
更新日: 2024年01月31日
吉田 博
ヨシダ ヒロシ | KATAYAMA-YOSHIDA Hiroshi
所属機関・部署：
職名：
特任上席研究員
ホームページURL (1件)：
http://www.sanken.osaka-u.ac.jp/
研究分野 (2件)：
磁性、超伝導、強相関系
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (4件)：
高温超伝導
, 半導体物理
, High-Tenperature Superconductor
, Semiconductor Physics
競争的資金等の研究課題 (49件)：
- 2020 - 2025 強磁性半導体ルネサンスによる新しいスピン機能材料とデバイスの創出
- 2012 - 2017 希土類添加窒化物半導体における赤色発光機構の解明/制御による高輝度発光素子の開発
- 2013 - 2016 熱電材料の理論的研究
- 2010 - 2015 スピンエレクトロニクス材料の探索
- 2007 - 2012 光誘起構造相転移動力学の研究
- 2007 - 2010 スピン偏極電流制御デバイス
- 2007 - 2008 産業構造の変化に伴う戦略的な新産業予測に関する研究
- 2005 - 2008 計算機ナノマテリアルデザインエンジンの開発・応用
- 2007 - 2007 ナノスケール・スピノーダル分解によるスピン流機能と制御法のデザイン
- 2003 - 2005 希土類元素添加半導体を基盤とした波長超安定新規発光デバイスの高性能化
- 2002 - 2005 光-スピントロニクスデバイス及びナノスピントロニクスプローブのデザイン
- 2003 - 2004 希土類元素添加半導体における電流励起光学利得とその最適化
- 2001 - 2003 高い熱伝導度を目指したフォノン間相互作用の第一原理計算
- 2001 - 2003 新規半導体レーザ用材料:希土類添加III-V族半導体の原子レベル制御成長と高品質化
- 2001 - 2003 交互供給コドーピング法による高濃度P型窒化物半導体薄膜結晶の製作とその応用
- 1997 - 2003 高次機能調和材料創成の原子・分子プロセッシング
- 2000 - 2002 第一原理計算による遷移金属-ZnO系透明強磁性体の物貭設計
- 2000 - 2001 第一原理計算によるワイドギャップ半導体の価電子制御と物質設計
- 1999 - 2001 電子励起による原子分子操作の理論
- 2000 - 2000 スピン制御による半導体超構造の新展開
- 1997 - 1999 半導体超構造の物質設計とスピン制御
- 1997 - 1998 特許など知的所有権の大学における現状およびその有効活用法に関する総合的研究
- 1996 - 1996 スピン制御による半導体超構造の新展開
- 1995 - 1996 スピン制御による半導体超構造の新展開
- 1995 - 1996 電子励起による新物質相の理論的探索と統一モデル
- 1995 - 1995 第一原理分子動力学法による極限条件下における共有結合性液体の電子構造と動力学
- 1994 - 1994 半導体中の短寿命不純物核プローブの電子構造と動力学
- 1993 - 1994 電子励起原子移動を利用した準安定状態の安定化機構の第一原理シミュレーション
- 1993 - 1993 計算物理学-物性研究における新展開-A01第一原理からの物性予測
- 1991 - 1993 日米科学技術協力における新材料に係る調査研究
- 1992 - 1992 電子励起が誘起する原子移動過程
- 1992 - 1992 YBCO系超伝導体のフェルミ面の構造
- 1992 - 1992 新機能光デバイスのための化合物半導体の物性制御の研究
- 1991 - 1992 アモルファスシリコンにおける深い不純物準位の水素不純物による不活性化機構の解明
- 1990 - 1992 新機能光デバイスのための化合物半導体の物性制御の研究
- 1991 - 1991 計算関理学ー物性研究における新展開ーA01 第1原理からの物性予測
- 1991 - 1991 新機能光デバイスのための化合物半導体の物性制御の研究
- 1989 - 1989 光電子分光法による高温超伝導発現機構の解明
- 1989 - 1989 II-VI族化合物半導体中の3d遷移金属不純物の電子状態-物質設計-
- 1988 - 1988 高温超伝導体単結晶の光電子、逆光電子及び軟X線分光
- 1988 - 1988 II-VI族化合物半導体中の3d遷移金属不純物の電子状態
- 1987 - 1987 II-VI族化合物半導体中の3d遷移金属不純物の電子状態
- 1985 - 1986 黒燐の超伝導に関する理論的研究
- 半導体ナノスピントルニクス
- 高温超伝導体の電子状態
- 電子励起原子移動による半導体中の不純物の電子構造
- Scimconductor Nano-Spintronics
- Electrovie Structures of the High-Temperature Superconductors
- Electronic Structure of Impurity States in Semiconductors by atomic displace ment due to the Electronic Excitation
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論文 (75件)：
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Hikari Shinya, Tetsuya Fukushima, Kazunori Sato, Shinobu Ohya, Hiroshi Katayama-Yoshida. Theoretical study on the origin of anomalous temperature-dependent electric resistivity of ferromagnetic semiconductor. APL Materials. 2023. 11. 11
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Akira Masago, Hikari Shinya, Tetsuya Fukushima, Kazunori Sato, Hiroshi Katayama-Yoshida. Hole-mediated ferromagnetism in a high-magnetic moment material, Gd-doped GaN. Journal of Physics Condensed Matter. 2020. 32. 48
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H. Shinya, S. Kou, T. Fukushima, A. Masago, K. Sato, H. Katayama-Yoshida, H. Akai. First-principles calculations of finite temperature electronic structures and transport properties of Heusler alloy Co2MnSi. Applied Physics Letters. 2020. 117. 4. 042402-042402
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Takumi Nunokawa, Yasufumi Fujiwara, Yusuke Miyata, Norifumi Fujimura, Takahiro Sakurai, Hitoshi Ohta, Akira Masago, Hikari Shinya, Tetsuya Fukushima, Kazunori Sato, et al. Valence states and the magnetism of Eu ions in Eu-doped GaN. Journal of Applied Physics. 2020. 127. 8. 083901-083901
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Tetsuya Fukushima, Hikari Shinya, Akira Masago, Kazunori Sato, Hiroshi Katayama-Yoshida. Theoretical prediction of maximum Curie temperatures of Fe-based dilute magnetic semiconductors by first-principles calculations. Applied Physics Express. 2019. 12. 6
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MISC (110件)：
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藤井 将, 佐藤 和則, 吉田 博. 21pTL-6 磁性半導体に対する格子間同時ドーピング法の効果の第一原理計算による予測(21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)). 日本物理学会講演概要集. 2011. 66. 2. 670-670
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Hiroshi Katayama-Yoshida, Kazunori Sato, Tetsuya Fukushima, Masayuki Toyoda, Hidetoshi Kizaki, An van Dinh. Chapter 10 Computational Nano-Materials Design for the Wide Band-Gap and High-TC Semiconductor Spintronics. Semiconductors and Semimetals. 2008. 82. 433-454
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Kazunori Sato, Hiroshi Katayama-Yoshida. Design of colossal solubility of magnetic impurities for semiconductor spintronics by the co-doping method. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS. 2007. 46. 45-49. L1120-L1122
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佐藤 和則, 吉田 博. 第一原理計算法II : 計算機ナノマテリアルデザイン. 應用物理. 2006. 75. 11. 1371-1376
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佐藤 和則, Dederichs P. H., 吉田 博. 24aZC-7 LDA+U法によるGaN系希薄磁性半導体の電子状態と磁性(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在)). 日本物理学会講演概要集. 2005. 60. 1. 631-631
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特許 (1件)：
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RBa2Cu3O7-δ系化合物の単結晶製造方法(特許)
書籍 (7件)：
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Collapse of Mott-Hubbard Frame work by Hole doping in Bi<sub>2</sub>Sr<sub>2</sub> Ca Cu<sub>2</sub>O<sub>8</sub>
Proceedings of 10th VUV Conferenence 1993
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Computational Physics and Materials Design
Proceedings of International Symposium on Intelligent Design and Synthesis of Electronic Materials System 1993
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Electronic Structure of La<sub>1-X</sub>Sr<sub>X</sub>NiO<sub>4</sub> Studied by Photoemission and Inverse-photoemission Spectroscopy
Phys. Rin. B 1993
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Computationaol Physics and Materials design : Application to b-type doping in ZnSe
Elsevier Science PuB. 1993
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Theoretical Approach to p-type Doping
Proceedings of 11th Symposium on Alloy Semiconductor physics 1992
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Works (4件)：
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カルコパイライト構造半導体およびそれを用いた光起電力装置(特許)
1995 -
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計算機による材料設計に関する調査
1992 -
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計算機による材料設計に関する調査
1991 -
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Bi系超伝導物質の結晶を製造する方法(特許)
1988 -
学位 (2件)：
委員歴 (1件)：
所属学会 (5件)：
米国材料学会
, ニューヨーク科学アカデミー
, 日本金属学会
, 米国物理学会
, 日本物理学会
