研究者
J-GLOBAL ID:200901074067216646   更新日: 2024年03月04日

原田 信介

ハラダ シンスケ | Harada Shinsuke
所属機関・部署:
職名: 研究チーム長
ホームページURL (1件): http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=S60667168
研究分野 (2件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
競争的資金等の研究課題 (4件):
  • 2021 - 2025 SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究
  • 2020 - 2025 ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明
  • 2017 - 2020 ワイドギャップ半導体(SiCおよびGaN)MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光同定
  • 2013 - 2016 炭化ケイ素(SiC)MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明
論文 (120件):
  • Mitsuru Sometani, Kunihide Oozono, Shiyang Ji, Takeshi Tawara, Tadao Morimoto, Tomohisa Kato, Kazutoshi Kojima, Shinsuke Harada. Comparison of 1.2 kV SiC Superjunction MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2024. 144. 3. 257-262
  • Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada. Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs. Journal of Applied Physics. 2022. 131. 14. 145701-145701
  • Yuta Abe, Akihumi Chaen, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Yuichi Yamazaki, Takeshi Ohshima, Takahide Umeda. Electrical detection of TV2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs. Applied Physics Letters. 2022
  • Hirohisa Hirai, Yoshinao Miura, Akira Nakajima, Shinsuke Harada, Hiroshi Yamaguchi. Crystal-orientation-dependent flatband voltage of non-polar GaN MOS interfaces investigated using trench sidewall capacitors. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2021. 119. 7
  • Atsushi Yao, Mitsuo Okamoto, Fumiki Kato, Hiroshi Hozoji, Shinji Sato, Shinsuke Harada, Hiroshi Sato. High-speed switching operation for a SiC CMOS and power module. IEICE Electronics Express. 2021. 18. 14. 1-5
もっと見る
MISC (10件):
  • 平井悠久, 三浦喜直, 中島昭, 原田信介, 山口浩. TMAH処理を施したGaN UMOSにおけるチャネル特性の面方位依存性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • Miura Yoshinao, Hirai Hirohisa, Nakajima Akira, Harada Shinsuke. p型層へのほう素注入を用いた伝導率制御による垂直GaNパワーデバイスのための新しいJTE技術【JST・京大機械翻訳】. IEEE Conference Proceedings. 2021. 2021. ISPSD
  • 染谷満, 細井卓治, 平井悠久, 畠山哲夫, 原田信介, 矢野裕司, 志村考功, 渡部平司, 米澤喜幸, 奥村元. 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因. 2018
  • 山田敬一, 藤掛伸二, 岩橋洋平, 原田信介, 矢野, 裕司, 奥村元. 三次元アトムプローブを用いたSiO2/SiC界面窒素の評価. 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集. 2017. 13-003
  • 米澤喜幸, 水島智教, 竹中研介, 藤澤弘幸, 岡本光央, 吉川満, 松永慎一郎, 加藤智久, 岡本大, 原田信介, et al. 実用化に向けて加速するSiC半導体の周辺技術開発と次世代フェーズへの取り組み 16kV級超高耐圧SiC IE-IGBTの開発. 工業材料. 2014. 62. 3
もっと見る
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る