研究者
J-GLOBAL ID:200901075220590508
更新日: 2024年09月19日
前田 幸治
Maeda Koji
所属機関・部署:
宮崎大学 工学教育研究部 電子物理工学科担当
宮崎大学 工学教育研究部 電子物理工学科担当 について
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職名:
教授
研究分野 (1件):
無機・錯体化学
研究キーワード (1件):
材料物性
論文 (185件):
橋本英明, 和田季己, 横山祐貴, 前田幸治, 鈴木秀俊. 原子層エピタキシー法によって作製されたGaAsN薄膜の作製条件の 違いが結晶性に与える影響のラマン分光法による評価. 宮崎大学工学部紀要. 2017. 46. 113-116
仲川豪志, 前田幸治, 鈴木秀俊, 境健太郎. 原料ガス断続供給法を用いて異なる成長温度で作製した GaAsナノワイヤの発光特性. 宮崎大学工学部紀要. 2017. 46. 109-112
木津駿斗, 前田幸治, 横山宏有, 境健太郎. ユーロピウム添加アルミン酸ストロンチウムの組成変化と 酸化物添加による発光特性. 宮崎大学工学部紀要. 2017. 46. 105-108
蛯原正裕, 小牧修也, 横山宏有, 境健太郎, 前田幸治. 硫黄を添加したアルミン酸ストロンチウム蛍光体の応力発光特性. 宮崎大学工学部紀要. 2017. 46. 101-104
Koji Maeda, Yasunori Fujiwara. Meteor spectra using high definition video camera. Proceedings of the International Meteor Conference Egmond, the Netherlands, 2-5 June, 2016. 2016. 167-170
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MISC (110件):
有村 啓太, 直野 令磨, 前田 幸治, 境 健太郎. 硫酸バリウムにユーロピを添加した蛍光体のX線照射による発光特性の変化. 宮崎大学工学部紀要. 2015. 44. 67-69
藤原 光二郎, 蔵元 俊己, 横山 宏有, 前田 幸治. ユーロピウムを添加した蛍光体の光励起および応力による発光特性の評価. 宮崎大学工学部紀要. 2015. 44. 63-65
高比良 潤, 小寺 大介, 境 健太郎, 前田 幸治, 大下 祥雄, 鈴木 秀俊. InGaAs/GaAs(001)界面における成長初期過程の転位のX線回折およびトポグラフ法を用いた観察. 宮崎大学工学部紀要. 2015. 44. 71-75
前田 幸治, 藤原 光二郎, 久米田 朋晃, 境 健太郎. 焼結法によって作製したユーロピウムを添加したSrMg2(PO4)2 蛍光体の作製条件による発光特性の変化. 宮崎大学工学部紀要. 2014. 43. 77-80
前田 幸治, 藤原 光二郎, 久米田 朋晃, 境 健太郎. 焼結法によって作製したユーロピウムを添加したSrMg2(PO4)2 蛍光体の作製条件による発光特性の変化. 宮崎大学工学部紀要. 2014. 43. 77-80
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特許 (2件):
X線検出装置
蛍光体および電磁波検出装置
講演・口頭発表等 (151件):
MOVPE法で作製した層厚の異なるInAs/GaAsSb超格子の光学特性評価
(第65回応用物理学会春学術講演会 2018)
フッ素添加アルミン酸ストロンチウムの応力及び残光発光特性
(第65回応用物理学会春学術講演会 2018)
MOVPE 法で作製したInAs 基板上n-AlGaAsSb クラッド層の上のInAs 層の光学特性評価
(2017年度 応用物理学会九州支部学術講演会 2017)
マイクロラマン分光法によるInGaAsP/InP 膜の応力分布測定
(2017年度 応用物理学会九州支部学術講演会 2017)
偏光ラマン測定を用いたN 分布の異なるGaAsN 薄膜の評価
(2017年度 応用物理学会九州支部学術講演会 2017)
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学歴 (2件):
- 1988 九州大学 総合理工学研究科 材料開発工学
- 1982 電気通信大学 電気通信学部 材料科学科
学位 (1件):
工学 (九州大学)
所属学会 (2件):
日本セラミックス協会
, 日本応用物理学会
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