研究者

J-GLOBAL ID：200901075254265037 更新日: 2022年08月18日

福島博

フクシマヒロシ | Fukushima Hiroshi

所属機関・部署：
職名：助教授

研究分野 (4件)：金属材料物性 , 計算科学 , 結晶工学 , 応用物性

競争的資金等の研究課題 (8件)：

2001 - 分子動力学法による結晶成長と粒界形成の研究
2001 - 透過電子顕微鏡法その場観察による結晶成長の研究
2001 - Molecular dynamic studies of crystal growth and grain boundary formation.
2001 - In situ transmission electron microscopy studies of crystal growth.
1990 - 陽電子寿命測定による原子空孔及び3次元的欠陥の研究

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MISC (109件)：

In Situ HREM Studies of Grain Boundary Formation during Solidification of B-Doped Silicon. Materials Science Forum. 2005. 475-479. 3875-3878
TEM Studies of Grain Boundary Structure in a Cast Polycrystalline Silicon. Materials Science Forum. 2005. 475-479. 1673-1676
In Situ HREM Studies of Grain Boundary Formation during Solidification of B-Doped Silicon. Materials Science Forum. 2005. 475-479. 3875-3878
TEM Studies of Grain Boundary Structure in a Cast Polycrystalline Silicon. Materials Science Forum. 2005. 475-479. 1673-1676
In Situ HREM Studies of Solidification Phenomena in the Liquid State P-doped Silicon. Proc. 8th Asia-Pacific Conference on Electron Microscopy. 2004. 673-674

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Works (10件)：

陽電子寿命測定と透過電子顕微鏡法によるAlNの高品質化
2005 -
溶融析出法による太陽電池用シリコン原料の結晶成長
2004 -
太陽電池用多結晶シリコンの結晶成長過程と格子欠陥
2003 -
太陽電池用多結晶シリコンの結晶成長過程と格子欠陥
2002 -
太陽電池用多結晶シリコンの結晶成長過程と格子欠陥
2001 -

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学歴 (4件)：

- 1979 東京大学工学系研究科金属材料
- 1979 東京大学
- 1974 東京大学工学部金属材料
- 1974 東京大学

学位 (1件)：

工学博士 (東京大学)

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