研究者
J-GLOBAL ID:200901075294379191   更新日: 2025年12月27日

石橋 章司

イシバシ ショウジ | Ishibashi Shoji
所属機関・部署:
職名: 研究員
その他の所属(所属・部署名・職名) (1件):
  • 国立研究開発法人産業技術総合研究所  エレクトロニクス基盤技術研究部門   招聘研究員
研究分野 (3件): 構造材料、機能材料 ,  無機材料、物性 ,  金属材料物性
研究キーワード (1件): 計算物質材料科学
競争的資金等の研究課題 (8件):
  • 2021 - 2025 III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
  • 2021 - 2024 分子性誘電体物質の新奇強電場相と新機能の創発
  • 2016 - 2021 陽電子消滅による結晶特異構造のキャリア捕獲・散乱ダイナミックスの評価
  • 2016 - 2019 圧電機能開拓のための強誘電性分子固体の研究
  • 2010 - 2015 第一原理有効模型と相関科学のフロンティア
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論文 (234件):
  • Akira Uedono, Hiroko Iguchi, Masahiro Horita, Jun Suda, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi. Vacancy-Type Defects in n-Type GaN Fabricated by Low-Dose Ion Implantation Studied by a Monoenergetic Positron Beam. physica status solidi (b). 2025
  • Sachio Horiuchi, Hiromi Minemawari, Jun’ya Tsutsumi, Shoji Ishibashi. Field-Effect Crystal Engineering in Proton-π-Electron Correlated Systems. Crystals. 2025. 15. 8. 736 1-38
  • Akira Uedono, Kazuya Kawakami, Tatsunori Kuribara, Ryu Hasunuma, Yosuke Harashima, Yasuteru Shigeta, Zeyuan Ni, Ruolin Yan, Hideo Nakamura, Akira Notake, et al. Vacancy-Type Defects in HfO2 Layers and Their Role in Amorphous-to-Crystalline Transition Studied by Monoenergetic Positron Beams. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 2025. 38. 3. 463-468
  • Akira Uedono, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Shoji Ishibashi, et al. Characterization of Vacancy-Type Defects in Mg- and N-Implanted GaN by using a Monoenergetic Positron Beam. 2025 22nd International Workshop on Junction Technology (IWJT). 2025. 79-82
  • S. F. Chichibu, K. Kikuchi, B. Moody, S. Mita, R. Collazo, Z. Sitar, Y. Kumagai, S. Ishibashi, A. Uedono, K. Shima. Roles of Al-vacancy complexes on the luminescence spectra of low dislocation density Si-doped AlN grown by halide vapor phase epitaxy. Applied Physics Letters. 2025. 126. 11. 111905 1-7
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書籍 (2件):
  • Organic ferroelectric materials and applications
    Woodhead Publishing 2021 ISBN:9780128215517
  • マテリアルズ・インフォマティクス開発事例最前線
    エヌ・ティー・エス 2021 ISBN:9784860437084
学歴 (4件):
  • 1988 - 1991 東京大学 大学院工学系研究科博士課程 金属材料学専攻
  • 1986 - 1988 東京大学 大学院工学系研究科修士課程 金属材料学専攻
  • 1984 - 1986 東京大学 工学部 金属材料学科
  • 1982 - 1984 東京大学 教養学部 理科一類
経歴 (13件):
  • 2025/04 - 現在 筑波大学 計算科学研究センター 研究員
  • 2025/04 - 現在 国立研究開発法人産業技術総合研究所 エレクトロニクス基盤技術研究部門 招聘研究員
  • 2024/04 - 2025/03 国立研究開発法人産業技術総合研究所 機能材料コンピュテーショナルデザイン研究センター キャリアリサーチャー
  • 2018/10 - 2024/03 国立研究開発法人産業技術総合研究所 機能材料コンピュテーショナルデザイン研究センター 上級主任研究員
  • 2015/11 - 2018/09 国立研究開発法人産業技術総合研究所 機能材料コンピュテーショナルデザイン研究センター 研究チーム長
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受賞 (5件):
  • 2025/05 - Springer Nature Springer Nature Author Service Award 2025
  • 2022/03 - 応用物理学会 第43回応用物理学会論文賞 Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures
  • 2020/03 - 国立研究開発法人産業技術総合研究所 産総研論文賞 Proton Tautomerism for Strong Polarization Switching, Sachio Horiuchi, Kensuke Kobayashi, Reiji Kumai and Shoji Ishibashi, Nature Communications, 2017, 8, 14426
  • 2020/03 - 日本物理学会 日本物理学会第25回論文賞 First-Principles Study of Magnetocrystalline Anisotropy and Magnetization in NdFe12, NdFe11Ti, and NdFe11TiN
  • 2011/03 - 日本物理学会 日本物理学会第16回論文賞 A Possible Ground State and Its Electronic Structure of a Mother Material (LaOFeAs) of New Superconductors
所属学会 (4件):
日本陽電子科学会 ,  日本金属学会 ,  日本物理学会 ,  応用物理学会
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