研究者
J-GLOBAL ID：200901075294379191
更新日: 2024年11月20日
石橋 章司
イシバシ ショウジ | Ishibashi Shoji
所属機関・部署：
職名：
キャリアリサーチャー
ホームページURL (1件)：
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=S76832814
研究分野 (3件)：
構造材料、機能材料
, 無機材料、物性
, 金属材料物性
研究キーワード (1件)：
計算材料科学 計算物質科学 第一原理計算 電子状態 陽電子消滅
論文 (140件)：
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Keishi Sunami, Sachio Horiuchi, Shoji Ishibashi, Jun'ya Tsutsumi. Unveiling High Electro-Optic Performance in a Proton-π-Electron-Coupled Ferroelectric Crystal. Advanced Electronic Materials. 2024. 10. 2400346
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Akira Uedono, Claudia Fleischmann, Jean-Philippe Soulié, Mustafa Ayyad, Jeroen E. Scheerder, Christoph Adelmann, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Koji Michishio, Nagayasu Oshima, et al. Vacancy-Type Defects and Oxygen Incorporation in NiAl for Advanced Interconnects Probed by Monoenergetic Positron Beams and Atom Probe Tomography. ACS Applied Electronic Materials. 2024
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K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, A. Uedono, S. Ishibashi, and, S. F. Chichibu. Temporary and spatially resolved luminescence studies of p-GaN segments fabricated by vacancy-guided redistribution of Mg using sequential ion implantation of Mg and N. Proceedings of IWJT2023: IEEE Xplore Digital Library (2023). 2023. 1-4
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Akira Uedono, Hideki Sakurai, Jun Uzuhashi, Tetsuo Narita, Kacper Sierakowski, Shoji Ishibashi, Shigefusa F. Chichibu, Michal Bockowski, Jun Suda, Tadakatsu Ohokubo, et al. Annealing properties of vacancy-type defects in ion implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam. Gallium Nitride Materials and Devices XVIII. 2023
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Sachio Horiuchi, Hiromi Minemawari, Shoji Ishibashi. Competition of polar and antipolar states hidden behind a variety of polarization switching modes in hydrogen-bonded molecular chains. Materials Horizons. 2023
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MISC (42件)：
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上殿明良, 角谷正友, 石橋章司, 大島永康, 鈴木良一. エネルギー可変陽電子ビームによるInxGa1-xN薄膜の空孔型欠陥の評価. 陽電子科学. 2014. 3. 3-9
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香山 正憲, 田中 真悟, Bhattacharya Somesh, Sharma Vikas, Wang Hao, 椎原 良典, 石橋 章司. 27pXS-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属粒界や異相界面への適用(27pXS 格子欠陥・ナノ構造(招待・理論・電子論・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)). 日本物理学会講演概要集. 2013. 68. 0
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Shoji Ishibashi, Sachio Horiuchi, Reiji Kumai, Kiyoyuki Terakura. First-principles calculations of spontaneous polarization for TTF-QBrCl3. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS. 2012. 249. 5. 1008-1011
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香山 正憲, 王 昊, 田中 真悟, 椎原 良典, 石橋 章司. 1002 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属粒界・欠陥への適用(OS10-1.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),OS・一般セッション講演). 計算力学講演会. 2012. 2012. 0. 492-493
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香山 正憲, 斎藤 繁喜, 田中 真悟, 椎原 良典, 石橋 章司. 26pCL-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理計算 : 金属粒界への適用(26pCL 格子欠陥・ナノ構造・フォノン(金属・ナノ粒子・点欠陥・水素材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)). 日本物理学会講演概要集. 2012. 67. 0
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所属学会 (3件)：
日本陽電子科学会
, 日本金属学会
, 日本物理学会
