研究者

J-GLOBAL ID：200901079148802991 更新日: 2020年08月28日

Piotr PŁOTKA

プロトカピヨトル | Plotka Piotr

所属機関・部署：
職名：主任研究員

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

競争的資金等の研究課題 (2件)：

1990 - GaAs semiconductor devices
-

MISC (12件)：

Piotr Płotka, Jun-Ichi Nishizawa, Toru Kurabayashi, Hiroki Makabe. 240-325-GHz GaAs CW fundamental-mode TUNNETT diodes fabricated with molecular layer epitaxy. IEEE Transactions on Electron Devices. 2003. 50. 4. 867-873
240-325-GHz GaAs CW fundamental-mode TUNNETT diodes fabricated with molecular layer. IEEE Transaction on Electron Devices. 2003. 50. 4. 867-873
NISHIZAWA J, KURABAYASHI T, PLOTKA P, KIKUCHI H, HAMANO T. Self-limiting growth of GaAs with doping by molecular layer epitaxy using triethyl gallium. Journal of Crystal Growth. 2002. 244. 3/4. 236-242
NISHIZAWA J, PLOTKA P, KURABAYASHI T. Ballistic and tunneling GaAs static induction transisters: Nano-devices for TH₂ electronics. IEEE Transactions on Electron Devices. 2002. 49. 7. 1102-1111
Self-limiting growth of GaAs with doping by molecular layer epitaxy using triethyl gallium. Journal of Crystal Growth. 2002. 244. 3/4. 236-242

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学位 (1件)：

博士(工学) (グダニスク工科大学)

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