- 2022 - 2025 炭化ケイ素半導体を用いたもつれ光子対発生デバイスの実現
- 2022 - 2025 炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生
- 2022 - 2025 炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生
- 2021 - 2024 界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明
- 2018 - 2021 マルチスケール計算によるSiC酸化機構に現れる複合相関とその界面電子物性への影響
- 2017 - 2020 炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測
- 2015 - 2019 炭化ケイ素半導体を用いた耐極限環境CCDの開発
- 2012 - 2015 局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御
- 2012 - 2015 炭化ケイ素半導体の酸化誘因欠陥の形成メカニズム解明
- 2009 - 2011 局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究
- 2005 - 2006 等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製
- 2005 - 2006 テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定
- 2001 - 2002 IV族半導体の極薄酸化膜の界面評価に関する研究
全件表示