研究者
J-GLOBAL ID：200901084323846593
更新日: 2024年04月09日
土方 泰斗
ヒジカタ ヤスト | Hijikata Yasuto
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研究分野 (5件)：
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 光工学、光量子科学
, 結晶工学
, 応用物性
競争的資金等の研究課題 (13件)：
2022 - 2025 炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生
2021 - 2024 界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明
2018 - 2021 マルチスケール計算によるSiC酸化機構に現れる複合相関とその界面電子物性への影響
2017 - 2020 炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測
2015 - 2019 炭化ケイ素半導体を用いた耐極限環境CCDの開発
2012 - 2015 局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御
2012 - 2015 炭化ケイ素半導体の酸化誘因欠陥の形成メカニズム解明
2009 - 2011 局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究
2005 - 2006 等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製
2005 - 2006 テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定
2001 - 2002 IV族半導体の極薄酸化膜の界面評価に関する研究
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論文 (106件)：
Yamazaki, Y., Chiba, Y., Sato, S.-I., Makino, T., Yamada, N., Satoh, T., Kojima, K., Hijikata, Y., Tsuchida, H., Hoshino, N., et al. Optically detected magnetic resonance study of 3d arrayed silicon vacancies in sic pn diodes. Materials Science Forum. 2020. 1004 MSF
Chiba, Y., Yamazaki, Y., Makino, T., Sato, S.-I., Yamada, N., Satoh, T., Kojima, K., Lee, S.-Y., Hijikata, Y., Ohshima, T. Creation of color centers in sic pn diodes using proton beam writing. Materials Science Forum. 2019. 963 MSF
Hijikata, Y. Macroscopic simulations of the SiC thermal oxidation process based on the Si and C emission model. Diamond and Related Materials. 2019. 92. 253-258
Matsushita, Y.-I., Furukawa, Y., Hijikata, Y., Ohshima, T. First-principles study of oxygen-related defects on 4H-SiC surface: The effects of surface amorphous structure. Applied Surface Science. 2019. 464. 451-454
Takeyama, A., Makino, T., Okubo, S., Tanaka, Y., Yoshie, T., Hijikata, Y., Ohshima, T. Radiation response of negative gate biased SiC MOSFETs. Materials. 2019. 12. 7. 2741-2741
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MISC (23件)：
本多智也, 本多智也, Kraus HANNES, Kraus HANNES, 加田渉, 小野田忍, 春山盛善, 春山盛善, 佐藤隆博, 江夏昌志, et al. プロトンマイクロビーム照射によるSiC中の発光中心の形成. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2016. 63rd
Sadafumi Yoshida, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi. Investigation of SiC/Oxide Interface Structures by Spectroscopic Ellipsometry. Advanced Silicon Carbide Devices and Processing. 2015
徳田英俊, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之. InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2013. 74th. 8. ROMBUNNO.17P-P7-15-08JL06-4
土方 泰斗, 八木 修平, 矢口 裕之. SiC酸化メカニズム解明への試み : Si酸化との共通点/異なる点 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2013. 113. 87. 91-96
土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史. 酸化中のSi及びC原子のSiC層への放出現象における理論的検討<研究成果報告>. 埼玉大学工学部紀要 第一部 論文集. 2010. 44. 34-37
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書籍 (1件)：
テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定
[土方泰斗] 2007
学歴 (1件)：
1996 - 1999 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報工学専攻
経歴 (3件)：
2006/04 - 現在 埼玉大学 大学院理工学研究科 准教授
2005/09 - 2006/03 イタリア国立研究所 マイクロエレクトロニクス&マイクロシステム研究所 客員研究員
1999/10 - 2006/03 埼玉大学 工学部 助手
委員歴 (2件)：
2019/01 - 現在 応用物理学会 代議員
2010/04 - 現在 応用物理学会先進パワー半導体分科会 幹事
受賞 (1件)：
2019/03 - 応用物理学会 第13回ポスター賞 同位体酸素を用いたSiC表面に形成される単一光子源の構造推定
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