北田貴弘

キタダタカヒロ | Kitada Takahiro

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

研究キーワード (4件)：分子線エピタキシー , 半導体ナノ構造 , 半導体量子工学 , Quantum Electronics of Semiconductor

競争的資金等の研究課題 (20件)：

2019 - 2023 量子ドット超格子を用いた光導電型テラヘルツ発生・検知デバイスの実現
2019 - 2022 副格子交換エピタキシーによるテラヘルツLEDの研究
2016 - 2019 超高速キャリア緩和を有するInAs量子ドットのテラヘルツ波検出素子への応用
2016 - 2019 テラヘルツLEDの研究
2015 - 2017 高指数面基板上の副格子交換エピタキシーによる半導体多層膜結合共振器の研究

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論文 (132件)：

Toshiyuki Kaizu, Osamu Kojima, Yasuo Minami, Takahiro Kitada, Yukihiro Harada, Takashi Kita, Osamu Wada. Lateral photoconductivity of InAs/GaAs quantum dots for 1.5 μm-wavelength excitation photoconductive terahertz antenna devices. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 8. 082002-082002
Yasuo Minami, Hiromutsu Abe, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada. Terahertz wave emission with 1.5 μm pump from photoconductive antenna using stacked Er-doped-InAs quantum dot layers with ultrafast carrier relaxation. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 14. 143101
Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Takahiro Kitada, Naoteru Shigekawa, Masataka Higashiwaki. Fabrication of n-Si/n-Ga2O3 heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2022. 131. 7
Naoto Kumagai, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Takahiro Kitada, Toshiro Isu. Mobility and activation energy of lateral photocurrent of InAs quantum dot layers with ultrafast carrier relaxation. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2021. 126. 114478-114478
Hiroki Shida, Kohei Kawaguchi, Yasuhito Saito, Ichirota Takazawa, Toshiki Fukasawa, Daisuke Iizasa, Takahito Saito, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani, Makoto Kohda, et al. Spin-orbit parameters derivation using single-frequency analysis of InGaAs multiple quantum wells in transient spin dynamics regime. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2020. 127. 15

MISC (205件)：

北田貴弘, 南康夫, 盧翔孟. 招待講演半導体多層薄膜を使った結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子 (電子ディスプレイ発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 116. 430. 33-36
太田寛人, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎. テラヘルツ帯差周波発生に適した結合共振器構造による二波長面発光レーザの作製 (レーザ・量子エレクトロニクス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 52. 67-72
井須俊郎, 太田寛人, 原山千穂, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘. CI-1-3 半導体多層薄膜結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子(CI-1.光デバイスを支えるエピ・プロセス要素技術の最新動向と将来展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画). 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集. 2015. 2015. 1. "SS-57"-"SS-58"
森田健, 北田貴弘, 井須俊郎. ED2012-96 半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム). 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2012. 112. 364. 17-21
森田健, 上山日向, 北田貴弘, 井須俊郎. 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ. 電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス. 2012. 111. 449. 31-34

講演・口頭発表等 (294件)：

Time Resolved Measurement of Two-Color Laser Lights Emitted from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity
(23rd Microoptics Conference (MOC 2018) 2018)
InGaAs量子井戸中の拡散電子スピンに作用する内部有効磁場
(2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018)
GaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による二波長発振の動的振る舞いの温度依存性
(2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018)
MBEによる(113)A GaAs基板上におけるAlAs/Ge/AlAsヘテロ構造の副格子交換
(2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018)
半導体多層膜結合共振器による赤外二波長レーザー発振
(2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会 2018)

学歴 (3件)：

1996 - 1996 大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程物理系専攻(退学)
1993 - 1995 大阪大学大学院基礎工学研究科博士前期課程物理系専攻(修了)
1989 - 1993 大阪大学基礎工学部物性物理工学科(卒業)

学位 (1件)：

博士(工学) (大阪大学)

経歴 (12件)：

2024/04 - 現在松江工業高等専門学校電気情報工学科教授
2023/09 - 2024/03 福岡工業大学工学部電子情報工学科特任教員(教授)
2022/04 - 2023/03 大阪公立大学大学院工学研究科特任教授
2021/09 - 2022/03 国立研究開発法人情報通信研究機構主任研究員
2017/04 - 2021/03 徳島大学大学院社会産業理工学研究部特任教授

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受賞 (1件)：

2010/03/25 - 財団法人エレキテル尾崎財団源内奨励賞半導体量子ドットと微小光共振器による新規な面型光非線形デバイスの創製

所属学会 (4件)：

応用物理学会 , IEEE , 日本材料学会 , 日本物理学会

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