研究者
J-GLOBAL ID:200901087780558276
更新日: 2024年10月23日
福室 直樹
フクムロ ナオキ | Fukumuro Naoki
所属機関・部署:
職名:
准教授
ホームページURL (1件):
http://www.eng.u-hyogo.ac.jp/group/group39/
研究分野 (2件):
金属材料物性
, 材料加工、組織制御
研究キーワード (7件):
透過電子顕微鏡
, 水素誘起超多量空孔
, 薄膜
, 表面処理
, めっきプロセス
, ナノ構造
, Electroless plating and Electroplating
競争的資金等の研究課題 (14件):
- 2022 - 2025 電気化学反応による金属中への水素侵入の制御と超化学量論的水素化物の創製
- 2017 - 2020 めっきにおける水素共析と水素誘起現象の機構解明
- 2017 - 2019 めっきにおける水素共析と水素誘起現象の機構解明
- 2014 - 2018 貴金属ナノ粒子のシリコンへの無電解析出のグリーンサステイナブル展開
- 2014 - 2017 金属電析における水素誘起超多量空孔の挙動解明と組織制御への応用
- 2011 - 2013 シリコン上の無電解めっきに用いる新規活性化前処理の機能性発現機構解明と応用展開
- 2009 - 2011 電気化学析出膜における水素誘起低温固相反応の解明とその応用
- 2008 - 2010 多孔質シリコンマトリックス高密度垂直磁気記録媒体の全無電解プロセスによる作製
- 2007 - 2010 めっき膜中の水素の存在状態と膜の構造および物性への影響
- 2007 - 2010 Influence of Hydrogen on the Microstructure and Internal Stress of Plated Films
- 2006 - 2008 アモルファス・ナノ2相変調構造を有する無電解コバルト系合金膜の創製と応用
- 2005 - 2006 金属微粒子援用エッチングによるポーラスシリコンの作製とその構造制御
- 2002 - 2003 マグネシウム上への光誘起自己触媒析出法による金属薄膜の作製
- 2001 - 2003 無電解析出法で作製した半導体金属複合薄膜による光機能性表面の創製
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論文 (120件):
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Naoki Fukumuro, Takeshi Kinoshita, Tomoya Hashimoto, Shinji Yae. Influence of Co-Deposited Hydrogen on Microstructure of Electrodeposited Platinum Films from Chloro-Complex Solution. Journal of the Japan Institute of Metals and Materials. 2024. 88. 10. 233-238
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Takeshi Fukuda, Kenji Iimura, Takanori Yamamoto, Ryuki Tsuji, Maito Tanabe, Seiji Nakashima, Naoki Fukumuro, Seigo Ito. Ozone-Assisted Hydrothermal Synthesis Method of Sb-Doped SnO2 Conductive Nanoparticles for Carbon-Free Oxygen-Reduction-Reaction Catalysts of Proton-Exchange-Membrane Hydrogen Fuel Cells. Crystals. 2024. 14. 5. 462-462
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Shinji Yae, Ayumu Matsumoto, Naoki Fukumuro. Electroless Displacement Deposition of Noble Metal Nanoparticles and Its Application for Functionalization of Silicon Surface. Journal of the Society of Powder Technology, Japan. 2023. 60. 12. 739-747
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Ryota Saida, Tomohiro Shimizu, Takeshi Ito, Yukihiro Tominari, Shukichi Tanaka, Naoki Fukumuro, Shinji Yae, Shoso Shingubara. Electroless Plating of Ru Using Hydrazine Hydrate as a Reducing Agent. Journal of Electronic Materials. 2023. 52. 10. 6690-6698
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Koichiro Nishizawa, Ayumu Matsumoto, Yasuyuki Nakagawa, Hitoshi Sakuma, Seiki Goto, Naoki Fukumuro, Shinji Yae. Comparison of Electroless Ni-P and Co-W-P Diffusion Properties Against GaAs Substrate. Journal of Electronic Materials. 2023. 52. 6. 4080-4090
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MISC (212件):
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林 和磨, 福室直樹, 八重真治. ロッシェル塩浴からの無電解銅めっき膜中への水素共析に及ぼす添加剤の影響. 表面技術協会第146回講演大会講演要旨集. 2022. 107-107
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西澤弘一郎, 松本 歩, 福室直樹, 中川康幸, 佐久間 仁, 後藤清毅, 八重真治. GaAs単結晶基板と無電解Ni-Pめっき膜の界面反応のP濃度依存性. 表面技術協会第146回講演大会講演要旨集. 2022. 104-104
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藤野 毅, 福室直樹, 井田統章, 井田義明, 八重真治. 払拭電解研磨法によるステンレス鋼からのガス放出の低減 -ベーキング処理との比較-. 表面技術協会第146回講演大会講演要旨集. 2022. 95-95
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西澤弘一郎, 松本 歩, 福室直樹, 中川康幸, 佐久間 仁, 後藤清毅, 八重真治. GaAs基板上に形成した無電解Ni-Pめっき膜の応力評価. 第86回半導体・集積回路技術シンポジウム. 2022
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福室直樹. めっきにおける水素共析と水素誘起現象の解析. 表面技術協会 めっき部会7月例会. 2022
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学歴 (2件):
- - 1999 東京都立大学 工学研究科 応用化学専攻
- - 1994 東京都立大学 工学部 工業化学化
学位 (1件):
経歴 (1件):
- 2016/04 - 現在 兵庫県立大学 工学(系)研究科(研究院) 准教授
受賞 (1件):
- 1996 - 社団法人 表面技術協会 第2回学術奨励講演賞
所属学会 (3件):
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