研究者
J-GLOBAL ID：200901087798105970
更新日: 2007年09月25日
東 直人
ヒガシ ナオト | Higashi Naoto
所属機関・部署：
職名：
大学院生
研究分野 (2件)：
磁性、超伝導、強相関系
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (8件)：
表面
, 高湿超伝導体
, 半導体
, 光電子分光
, Surface
, High-TC supcreconductor
, Semiconductor
, PSE
競争的資金等の研究課題 (2件)：
- 1999 - 金属吸着半導体のホールサブバンド
- 1999 - Hole Subbands in Metal/Semiconductor
学歴 (2件)：
- - 2003 奈良先端科学技術大学院大学 物性創成科学研究科 凝縮系物性学
- - 2003 奈良先端科学技術大学院大学
学位 (1件)：
所属学会 (2件)：
日本物理学会
, The Physical Society of Japan
