研究者
J-GLOBAL ID:200901092141807455
更新日: 2024年06月06日
幸谷 智
コウヤ サトシ | Satoshi Kouya
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所属機関・部署:
東京電機大学 工学部情報通信工学科
東京電機大学 工学部情報通信工学科 について
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職名:
講師
ホームページURL (1件):
http://www.wsl.c.dendai.ac.jp/
論文 (9件):
幸谷 智. フェーズドアレーを用いた無線回線遮断法. 日本シミュレーション学会論文誌. 2023. 15. 2. 51-55
The factors affecting TCP transferring performance on mesh networks. International Conference on Computer Science and Information Technology. 2023
Evaluation of Is Oxide Layer Anodized by Extremely Diluted HF Solution. 2022
IEEE802.11s メッシュネットワークにおける TCP CUBIC と TCP BBR のパフォーマンス. コミュニケーションジャーナル. 2020
ドプラレーダを用いた回転ボールの角速度ベクトル測定. 2019
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MISC (10件):
フェーズドアレーと無線LANセキュリティ. 工学情報. 2022
ウイルス影響下における効果的な工学実験の試み2. 第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
佐々木仁,幸谷智,吉野隆幸,本橋光也. ウイルス影響下における効果的な工学実験の試み. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
佐々木仁,幸谷智,吉野隆幸,本橋光也. エンジニアのためのコミュニケーション能力および表現能力を高める実験教育の試み2. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020. 14a-PA1-7
幸谷 智, 齊藤泰一. 三点制御フェーズドアレーにおけるヌル生成に適したアンテナ間隔の検討. 電子情報通信学会2020年総合大会. 2020
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書籍 (2件):
ペンギン電子工学辞典
2010 ISBN:9784254221541
ゴールドスミス ワイヤレスシステム工学
2007 ISBN:9784621078471
講演・口頭発表等 (21件):
Evaluation of Is Oxide Layer Anodized by Extremely Diluted HF Solution
(7th Korea-Japan International Symposium on Materials Science and Technology 2022)
ウイルス影響下における効果的な工学実験の試み2
(第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
ウイルス影響下における効果的な工学実験の試み
(第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020)
エンジニアのためのコミュニケーション能力および表現能力を高める実験教育の試み2
(第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
Performance of TCP CUBIC and TCP BBR on IEEE802.11s Mesh Network
(12th International Conference on Computer Science and Information Technology 2019)
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Works (4件):
東京コンテスト
2017 - 2017
東京コンテスト
2016 - 2016
東京コンテスト
2015 - 2015
東京コンテスト
2013 - 2013
経歴 (2件):
1999/08 - 2000/09 Polytechnic University 大学等非常勤研究員
1999/08 - 2000/09 Polytechnic University Resercher
委員歴 (1件):
2022/04 - 現在 電子情報通信学会 コミュニケーションシステム研究会専門委員
受賞 (4件):
2022/11 - The Materials Research Society of Korea Best Presentation Awards Evaluation of Si Oxide Layer Anodized by Extremely Diluted HF Solution
2015/11 - 日本材料科学会 若手奨励賞 二重励起プラズマを用いたメゾスコピックSiへの表面処理効果
2015/11 - 日本材料科学会 若手奨励賞 二重励起プラズマを用いたメゾスコピックSiへの表面処理効果
2015/06 - 日本材料科学会 若手奨励賞 高周波グロー放電プラズマの位相制御とメゾスコピックSiへの処理効果
所属学会 (4件):
電子情報通信学会
, 日本シミュレーション学会
, IEEE
, 日本材料科学会
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