研究者
J-GLOBAL ID：200901094228645780   更新日: 2024年04月19日

三宅 秀人

ミヤケ ヒデト | Miyake Hideto
所属機関・部署：
三重大学 工学研究科 電気電子工学専攻

三重大学 工学研究科 電気電子工学専攻 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://www.opt.elec.mie-u.ac.jp/
研究分野 (3件)： 電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (6件)： 深紫外 ,  カルコパイライト型半導体 ,  光デバイス ,  窒化物半導体 ,  半導体工学 ,  Physics and Technology of Semiconductor Devices
競争的資金等の研究課題 (29件)：
  • 2022 - 2025 窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
  • 2016 - 2023 国際活動支援班
  • 2016 - 2021 平衡状態に基づくトップダウン法による特異構造の創製
  • 2016 - 2021 総括班
  • 2017 - 2020 フォノン機能制御による窒化物半導体光素子の基盤科学技術開拓
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論文 (298件)：
  • Hideaki Murotani, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Kaichi Tani, Hiromasa Hayashi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada. Temperature- and Excitation Power Density-Resolved Photoluminescence of AlGaN-Based Multiple Quantum Wells Emitting in the Spectral Range of 220-260 nm. physica status solidi (b). 2024
  • Yoshihiro Ishitani, Bojin Lin, Hnin Lai Lai Aye, Daiki Yoshikawa, Hideto Miyake, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka. Longitudinal optical (LO) and LO-like phonon resonant mid-infrared radiation emission and absorption by surface micro-structures on III-nitrides. Gallium Nitride Materials and Devices XIX. 2024
  • Shin-ichiro Sato, Kanako Shojiki, Ken-ichi Yoshida, Hideaki Minagawa, Hideto Miyake. Optical activation of implanted lanthanoid ions in aluminum nitride semiconductors by high temperature annealing. Optical Materials Express. 2024. 14. 2. 340-340
  • Eri Matsubara, Ryoya Yamada, Ryosuke Kondo, Toma Nishibayashi, Yoshinori Imoto, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Takahiro Maruyama, Hideto Miyake, et al. Analysis of Altered Layers Formed during Substrate Exfoliation of AlGaN Crystals Grown on Periodic AlN Nanopillars Using the Heated-Pressurized Water Method. Physica Status Solidi (B) Basic Research. 2024
  • Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Toma Nishibayashi, Ryoya Yamada, Yoshinori Imoto, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya. Effect of Polarization-Charge Modulation on the Carrier-Injection Efficiency of AlGaN-Based Ultraviolet-B Laser Diodes Using Polarization Doping in the p-Type AlGaN Cladding Layer. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2024
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MISC (248件)：
  • 大石悠翔, XIAO Shiyu, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, 秋山亨, 玉野智弘, 三宅秀人. MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響と高温アニール. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2023. 123. 288(ED2023 14-37)
  • 大石悠翔, XIAO Shiyu, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, 秋山亨, 三宅秀人. MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
  • 市川俊輔, 岡崎美香, 藤本晴香, AVSAR Eriko, 西村訓弘, 三宅秀人. UV-LED光処理後に生存する環境水中の細菌PriestiaのUV耐性発現. 日本水環境学会年会講演集. 2023. 57th
  • 臧黎清, 島田康人, 三宅秀人, 西村訓弘. ゼブラフィッシュを用いた深紫外線(UVC)の生体安全性確認及びDNA損傷修復機構の解明. 日本生化学会大会(Web). 2022. 95th
  • 薮谷歩武, 大森智也, 山田和輝, 長谷川亮太, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典, et al. 高反射率誘電体多層膜反射鏡適用によるAlGaN系UV-Bレーザダイオードの特性改善. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
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書籍 (1件)：
  • Solution Growth of CuGaS<sub>2</sub> Single Crystals(共著)
    Proceedings of the 8th International Conference of Ternary & Multinary Compounds 1990
講演・口頭発表等 (158件)：
  • スパッタアニール A lN を用いた波長 2 30 n m 帯 U V LED の開発
    (第70回応用物理学会春季学術講演会)
  • ピラー 形成 AlN テンプレート上 への HVPE法による AlN厚膜 成長
    (第70回応用物理学会春季学術講演会)
  • マルチ・スパッタアニール 法 による多層極性反転 AlN構造の作製
    (第70回応用物理学会春季学術講演会)
  • ゲート絶縁膜を有するAlGaNチャネルHEMTの作製と評価
    (第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
  • スパッタアニール法作製a面AlNのc軸配向方向の基板微傾斜角度依存性
    (第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
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学歴 (2件)：
  • - 1988 大阪大学 基礎工学研究科 物理系電気工学分野
  • - 1986 山梨大学 工学部 電気工学科
学位 (2件)：
  • 工学修士 (大阪大学 大学院基礎工学研究科)
  • 工学博士 (大阪大学)
経歴 (8件)：
  • 2022/04 - 現在 三重大学大学院工学研究科 電気電子工学専攻 教授
  • 2021/04 - 2022/03 三重大学大学院地域イノベーション学研究 副研究科長
  • 2017/04 - 2021/03 三重大学大学院地域イノベーション学研究科 研究科長
  • 2015/04 - 2021/03 三重大学大学院地域イノベーション学研究科 教授
  • 2015/03 - 2015/04 三重大学大学院工学研究科 教授
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受賞 (12件)：
  • 2022/03 - 三重大学 三重大学優秀論文・著書・作品賞
  • 2022/03 - 三重大学 三重大学賞
  • 2021 - 日本結晶成長学会 論文賞
  • 2021 - 応用物理学会 論文賞
  • 2020/09 - 応用物理学会 第14回(2020年度)フェロー
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所属学会 (2件)：
電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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