研究者

J-GLOBAL ID：200901096162141398 更新日: 2019年11月28日

横山新

Yokoyama Shin

所属機関・部署：
論文 (1件)：

横山新, 三宅, 勝志, t.nagata, 坂上, 弘之, 宮崎, 誠一, y.horiike 岩田, 穆, et al. GaAs/Si Optoelectronic Design and Development at Hiroshima Universit. Proc. Intern. Workshop of Semicon. Character.(Gaithersburg, USA). 1995. 599-604

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