研究者
J-GLOBAL ID：200901099231945630   更新日: 2024年03月11日

高橋 芳浩

タカハシ ヨシヒロ | TAKAHASHI Yoshihiro
所属機関・部署：
日本大学 理工学部 電子工学科

日本大学 理工学部 電子工学科 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://mail.ecs.cst.nihon-u.ac.jp/~silicon/
研究分野 (4件)： 電子デバイス、電子機器 ,  放射線影響 ,  電気電子材料工学 ,  化学物質影響
研究キーワード (11件)： マイクロテクノロジー ,  SOI ,  シングルイベント ,  照射誘起電流 ,  照射効果 ,  MIS構造 ,  Si系発光素子 ,  紫外線励起プロセス ,  陽極酸化プロセス ,  耐放射線性デバイス ,  半導体デバイス
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • 2018 - 2021 電界結合による非接触スリップリングの研究
  • 2018 - 2020 電界結合による非接触スリップリングの研究
  • 2004 - 2008 マイクロ機械/知能エレクトロニクス集積化技術の総合研究
  • 2002 - 2003 マイクロテクノロジーによるインテリジェントデバイスの開発
  • 2002 - 2002 半導体素子の放射線照射効果に関する研究
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論文 (25件)：
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MISC (1件)：
  • 小倉 俊太, 高橋 芳浩, 牧野 高紘, 小野田 忍, 平尾 敏雄, 大島 武. 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」). 信頼性シンポジウム発表報文集. 2012. 2012. 20. 15-18
講演・口頭発表等 (371件)：
  • SOI-MOSFETの重イオン照射誘起電流における支持基板の影響
    (2024年電子情報通信学会総合大会 2024)
  • 電界結合型非接触スリップリングの小型化に関する検討
    (2024年電子情報通信学会総合大会 2024)
  • 電界結合型非接触スリップリングの安定化に向けた検討
    (日本大学理工学部術講演会 2023)
  • Pocket構造がトンネルFETの電気的特性に及ぼす影響
    (日本大学理工学部術講演会 2023)
  • SOI-MOSFETの重イオン照射誘起電流における支持基板の影響
    (日本大学理工学部術講演会 2023)
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学歴 (2件)：
  • - 1988 日本大学 大学院 理工学研究科 電子工学専攻
  • - 1986 日本大学 理工学部 電子工学
経歴 (4件)：
  • 2011/04 - 現在 日本大学 教授
  • 2007/04 - 2011/03 日本大学 准教授
  • 2001/04 - 2007/03 日本大学 専任講師
  • 1989/04 - 2001/03 日本大学 助手
委員歴 (4件)：
  • 2014/04 - 現在 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 表面・界面・シリコン材料研究委員会 幹事
  • 1992/04 - 現在 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会委員
  • 2015/04 - 2019/05 日本信頼性学会 評議員
  • 2011/04 - 2015/03 日本信頼性学会 理事
受賞 (3件)：
  • 2013/06 - 日本信頼性学会 日本信頼性学会 優秀賞 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討
  • 2012/12 - The 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications Best Poster Award Suppression of Heavy-Ion induced Current in SOI Device
  • 2009/11 - 理工学部学術賞 宇宙用半導体デバイス開発に関する基礎研究
所属学会 (3件)：
日本信頼性学会 ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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