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J-GLOBAL ID：200902000075083558   整理番号：90A0278043

RHEED,Raman,X線を用いたSi_mGe_nひずみ単層超格子の研究

Investigation of Si_mGe_n strained monolayer superlattices by RHEED, Raman, and X-ray techniques.

著者 (3件)： ARBET V (Univ. California, CA, USA) ,  CHANG S J (Univ. California, CA, USA) ,  WANG K L (Univ. California, CA, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 183  ページ： 57-63  発行年： 1989年12月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBE法により超薄Si_mGe<sub>...

シソーラス用語： 人工超格子 ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： RHEED ,  X線 ,  ひずみ ,  単層 ,  超格子 ,  研究