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J-GLOBAL ID：200902000930079075   整理番号：93A0187028

THzミクシング応用のためのGaAs Schottkyダイオード

GaAs Schottky Diodes for THz Mixing Applications.

著者 (6件)： CROWE T W (Univ. Virginia, VA) ,  MATTAUCH R J (Univ. Virginia, VA) ,  ROESER H P (Max Planck Inst. Radioastronomy, Bonn, DEU) ,  BISHOP W L (Univ. Virginia, VA) ,  PEATMAN W C B (Univ. Virginia, VA) ,  LIU X (Univ. Virginia, VA)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 80  号： 11  ページ： 1827-1841  発行年： 1992年11月 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs Schottky障壁ダイオードは,THz周波数範囲...

シソーラス用語： Schottky障壁ダイオード ,...

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分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： ミクシング ,  応用 ,  GaAs ,  Schottkyダイオード