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J-GLOBAL ID：200902001903226046   整理番号：91A0942915

Pressure dependence of a deep excitonic level in silicon.

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著者 (2件)：
NORTHROP G A

NORTHROP G A について

(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY)

IBM Thomas J. Watson Research Center, NY について

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WOLFORD D J

WOLFORD D J について

(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY)

IBM Thomas J. Watson Research Center, NY について


資料名：
Impurities, Defects and Diffusion in Semiconductors: Bulk and Layered Structures  (Impurities, Defects and Diffusion in Semiconductors: Bulk and Layered Structures)

Impurities, Defects and Diffusion in Semiconductors: Bulk and Layered Structures について


ページ： 27-32  発行年： 1990年 
JST資料番号： K19910585  ISBN： 1-55899-051-8  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

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