文献
J-GLOBAL ID:200902001916948377
整理番号:81A0428075
非晶質けい素において定光電流法で直接測定したギャップ状態とバンドすそ吸収
Direct measurement of the gap states and band tail absorption by constant photocurrent method in amorphous silicon.
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著者 (4件):
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資料名:
巻:
39
号:
11
ページ:
1199-1202
発行年:
1981年09月
JST資料番号:
H0499A
ISSN:
0038-1098
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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標記の膜の低吸収領域(10
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シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
非晶質の電子構造【’81~’86】
, 光伝導,光起電力
, その他の光物性
, 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル
タイトルに関連する用語 (6件):
タイトルに関連する用語
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