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J-GLOBAL ID：200902002173527378   整理番号：88A0399638

Al₂O₃-AlN系における陰イオンで制御した微細構造

Anion controlled microstructures in the Al₂O₃-AlN system.

著者 (7件)： MCCAULEY J W (U.S. Army Materials Technology Lab., MA, USA) ,  KRISHNAN K M (Univ. California, CA, USA) ,  RAI R S (Univ. California, CA, USA) ,  THOMAS G (Univ. California, CA, USA) ,  ZANGVILL A (Univ. Illinois, IL, USA) ,  DOSER R W (Univ. Illinois, IL, USA) ,  CORBIN N D (Norton Co., MA, USA)
資料名： Materials Science Research  (Materials Science Research)
巻： 21  ページ： 577-590  発行年： 1987年 
JST資料番号： A0239B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al₂O₃-Al...

シソーラス用語： セラミック ,...

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分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al2O3 ,  AlN ,  陰イオン ,  微細構造