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J-GLOBAL ID：200902004160497430   整理番号：90A0804174

SiH₂Cl₂/i-C₄H₁₀/HCl/H₂ガス系を用いたβ-SiCの低温成長と選択成長

Low temperature and selective growth of β-SiC using the SiH₂Cl₂/i-C₄H₁₀/HCl/H₂ gas system.

著者 (1件)： OHSHITA Y (NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 57  号： 6  ページ： 605-607  発行年： 1990年08月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のガス系を用いた化学蒸着法によって,900°Cの低温におい...

シソーラス用語： 塩化水素 ,...
準シソーラス用語： イソブタン

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiH2Cl2 ,  HCl ,  H2ガス ,  SiC ,  低温成長 ,  選択成長