Three-dimensional effects of latchup turn-on CMOS and forward-biased n<sup>+</sup>-diode measured by photoemission.

文献

J-GLOBAL ID：200902004707036955 整理番号：92A0623600

Three-dimensional effects of latchup turn-on CMOS and forward-biased n⁺-diode measured by photoemission.

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資料名：
巻： 1992 ページ： 115-120 発行年： 1992年
JST資料番号： T0991A 資料種別：会議録 (C)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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