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J-GLOBAL ID：200902005669061939   整理番号：92A0283771

256M DRAM用(BaxSr1-x)TiO3を用いたスタックド・キャパシタ

A stacked capacitor with (BaxSr1-x)TiO3 for 256M DRAM.
著者 (8件)：
KOYAMA K

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(NEC Corp., Sagamihara, JPN)

NEC Corp., Sagamihara, JPN について

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SAKUMA T

SAKUMA T について

(NEC Corp., Kawasaki, JPN)

NEC Corp., Kawasaki, JPN について

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YAMAMICHI S

YAMAMICHI S について

(NEC Corp., Kawasaki, JPN)

NEC Corp., Kawasaki, JPN について

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WATANABE H

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(NEC Corp., Sagamihara, JPN)

NEC Corp., Sagamihara, JPN について

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AOKI H

AOKI H について

(NEC Corp., Sagamihara, JPN)

NEC Corp., Sagamihara, JPN について

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OHYA S

OHYA S について

(NEC Corp., Sagamihara, JPN)

NEC Corp., Sagamihara, JPN について

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MIYASAKA Y

MIYASAKA Y について

(NEC Corp., Kawasaki, JPN)

NEC Corp., Kawasaki, JPN について

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KIKKAWA T

KIKKAWA T について

(NEC Corp., Sagamihara, JPN)

NEC Corp., Sagamihara, JPN について


資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

Technical Digest. International Electron Devices Meeting について


巻： 1991  ページ： 823-826  発行年： 1991年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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高誘電率材料を初めて実際のDRAMの標記キャパシタに適用し,...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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コンデンサ

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準シソーラス用語：
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TDDB

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分類 (1件)：
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半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

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