薄いゲートとトンネリング酸化物における電気的破壊

CHEN I-C; HOLLAND S E; HU C

文献

J-GLOBAL ID：200902006650212266 整理番号：85A0276307

薄いゲートとトンネリング酸化物における電気的破壊

Electrical breakdown in thin gate and tunneling oxides.

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資料名：
巻： 32 号： 2 ページ： 413-422 発行年： 1985年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高電界電流注入のある薄い酸化物(7.9-32nm)の破壊を調...

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固体デバイス計測・試験・信頼性

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