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J-GLOBAL ID：200902006755269590   整理番号：91A0532239

Transmission electron microscopy, photoluminescence and capacitance spectroscopy on GaAs/Si grown by metalorganic chemical vapor deposition.

著者 (7件)： BREMOND G (INSA, Villeurbanne, FRA) ,  SAID H (INSA, Villeurbanne, FRA) ,  GUILLOT G (INSA, Villeurbanne, FRA) ,  MEDDEB J (U.C.B. Lyon I, Villeurbanne, FRA) ,  PITAVAL M (U.C.B. Lyon I, Villeurbanne, FRA) ,  DRAIDIA N (CNET, Bagneux, FRA) ,  AZOULAY R (CNET, Bagneux, FRA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 1361  号： Pt 2  ページ： 732-743  発行年： 1991年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaAs ,  Si