窒素をドープしたZnSeにおける補償過程

HAUKSSON I S; SIMPSON J; WANG S Y; PRIOR K A; CAVENETT B C

文献

J-GLOBAL ID：200902007181720200 整理番号：93A0026527

窒素をドープしたZnSeにおける補償過程

Compensation processes in nitrogen doped ZnSe.

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資料名：
巻： 61 号： 18 ページ： 2208-2210 発行年： 1992年11月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

窒素をドープしたZnSeの光ルミネセンスを測定した。光照射下...

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半導体のルミネセンス , 不純物・欠陥の電子構造

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