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J-GLOBAL ID：200902007609178546   整理番号：86A0455607

GaAs/AlGaAs HBTヘテロ接合バイポーラトランジスタ ECL(エミッタ結合論理)ゲートにおけるスイッチング性能のエミッタ抵抗と電流利得依存性

Dependence of switching performance on emitter resistance and current gain in GaAs/AlGaAs HBT ECL gates.

著者 (2件)： YAMAUCHI Y (Electrical Communication Lab., Atsugi-shi) ,  ISHIBASHI T (Electrical Communication Lab., Atsugi-shi)
資料名： Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan Section E (English)  (Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan Section E (English))
巻： 69  号： 4  ページ： 286-287  発行年： 1986年04月 
JST資料番号： F0699B  ISSN： 0387-236X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 5段リング発振器の特性を計算機シミュレーションした。出力電圧...

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,...
準シソーラス用語： エミッタ抵抗

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (11件)： GaAs ,  AlGaAs ,  HBT ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  ECL ,  エミッタ結合論理 ,  ゲート ,  スイッチング性能 ,  エミッタ抵抗 ,  電流利得 ,  依存性