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J-GLOBAL ID：200902008330912378   整理番号：93A0380431

不揮発性メモリ用の,Siイオン打込みゲートSiO₂絶縁膜を備えたMOSFET

A MOSFET with Si-implanted Gate-SiO₂ Insulator for Nonvolatile Memory Applications.

著者 (4件)： HORI T (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  OHZONE T (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  ODAKE Y (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  HIRASE J (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1992  ページ： 469-472  発行年： 1992年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si打込みゲートSiO₂絶縁膜を有する...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 不揮発性メモリ ,  Siイオン ,  打込み ,  ゲート ,  SiO2 ,  絶縁膜 ,  MOSFET