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J-GLOBAL ID:200902008330912378   整理番号:93A0380431

不揮発性メモリ用の,Siイオン打込みゲートSiO2絶縁膜を備えたMOSFET

A MOSFET with Si-implanted Gate-SiO2 Insulator for Nonvolatile Memory Applications.
著者 (4件):
資料名:
巻: 1992  ページ: 469-472  発行年: 1992年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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半導体集積回路  ,  記憶装置 

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