GaAsにおける熱緩和していない光励起キャリアによりサブピコ秒スペクトルに生じたホールバーニング

OUDAR J L; HULIN D; MIGUS A; ANTONETTI A; ALEXANDRE F

文献

J-GLOBAL ID：200902011291908334 整理番号：86A0171960

GaAsにおける熱緩和していない光励起キャリアによりサブピコ秒スペクトルに生じたホールバーニング

Subpicosecond spectral hole burning due to nonthermalized photoexcited carriers in GaAs.

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巻： 55 号： 19 ページ： 2074-2077 発行年： 1985年11月04日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAsの15Kにおける励起パルス波長付近の吸収飽和スペクト...

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無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル , 半導体と絶縁体の電気伝導一般

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