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J-GLOBAL ID：200902011621957590   整理番号：90A0081329

けい化コバルトの化学蒸着

Chemical vapor deposition of cobalt silicide.
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WEST G A

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(Allied-Signal, Inc., NJ)

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BEESON K W

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(Allied-Signal, Inc., NJ)

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資料名：
Chemical Perspectives of Microelectronic Materials  (Chemical Perspectives of Microelectronic Materials)

Chemical Perspectives of Microelectronic Materials について


ページ： 389-394  発行年： 1989年 
JST資料番号： K19890580  ISBN： 1-55899-004-6  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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コバルト源としてCo<sub>2</sub>(CO)<sub...
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MOCVD

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けい化コバルト

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化学蒸着

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