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J-GLOBAL ID：200902013140406186   整理番号：90A0114397

高誘電率絶縁膜Ta₂O₅のVLSIへの応用

Application of high-dielectric constant insulator for VLSIs.

著者 (2件)： 西岡泰城 (日立 中研) ,  神力博 (日立 中研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 58  号： 11  ページ： 1622-1628  発行年： 1989年11月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LSIの高集積化に伴うデバイスの微細化によってキャパシター用...

シソーラス用語： 超LSI ,...
準シソーラス用語： 高速バイポーラメモリ

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分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (18件)：

• 1) S. Asai: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., San Francisco, 1984 (IEEE, New York, 1984) p. 6.
• 2) J. Yugami, T. Mine, S. Iijima and A. Hirai-wa: Ext. Abstr. 20th (1988 Int.) Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1988 (日本学会事務センター, 1988) p. 173.
• 3) S. Kimura, Y. Nishioka, A. Shintani and K. Mukai: J. Electrochem. Soc. 130 (1983) 2414.
• 4) Y. Nishioka, H. Sinriki and K. Mukai: J. Electrochem. Soc. 134 (1987) 410.
• 5) T. Kato and T. Ito: J Electrochem. Soc. 135 (1988) 2586.

タイトルに関連する用語 (5件)： 高誘電率 ,  絶縁膜 ,  Ta2O5 ,  VLSI ,  応用