Si(100)上のH誘起表面再構成 高次水素化物の形成

CHENG C C; YATES J T JR

文献

J-GLOBAL ID：200902013550591746 整理番号：91A0310914

Si(100)上のH誘起表面再構成高次水素化物の形成

H-induced surface restructuring on Si(100): Formation of higher hydrides.

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巻： 43 号： 5 ページ： 4041-4045 発行年： 1991年02月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

温度プログラム脱着質量分析法および低速電子回折を用いて標題の...

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半導体の表面構造

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