埋込みサブコレタクを持つInGaAs/InPヘテロ接合バイポーラトランジスタの選択成長

FREI M R; HAYES J R; SONG J-I; COX H M; CANEAU C

文献

J-GLOBAL ID：200902013760566990 整理番号：92A0727875

埋込みサブコレタクを持つInGaAs/InPヘテロ接合バイポーラトランジスタの選択成長

Selective growth of InGaAs/InP heterojunction bipolar transistors with a buried subcollector.

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巻： 61 号： 10 ページ： 1193-1195 発行年： 1992年09月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ベース-コレクタの重なりを低減するため,選択エピタクシー法を...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , トランジスタ

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