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J-GLOBAL ID:200902013760566990   整理番号:92A0727875

埋込みサブコレタクを持つInGaAs/InPヘテロ接合バイポーラトランジスタの選択成長

Selective growth of InGaAs/InP heterojunction bipolar transistors with a buried subcollector.
著者 (5件):
資料名:
巻: 61  号: 10  ページ: 1193-1195  発行年: 1992年09月07日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ベース-コレクタの重なりを低減するため,選択エピタクシー法を...
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分類 (2件):
分類
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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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