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J-GLOBAL ID：200902014053695046   整理番号：90A0348762

メタン-水素反応性イオンエッチングによるn-GaAsの電気的劣化

Electrical damage in n-GaAs due to methane-hydrogen RIE.
著者 (2件)：
COLLOT P

COLLOT P について

(Thomson CSF, Orsay, FRA)

Thomson CSF, Orsay, FRA について

, 
GAONACH C

GAONACH C について

(Thomson CSF, Orsay, FRA)

Thomson CSF, Orsay, FRA について


資料名：
Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)

Semiconductor Science and Technology について


巻： 5  号： 3  ページ： 237-241  発行年： 1990年03月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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SiをドープしたGaAsのイオンエッチングによる電気的損傷を...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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水素

水素 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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メタン

メタン について


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分類 (2件)：
分類
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プラズマ応用 
(BJ02110K)

プラズマ応用 について

,  半導体の放射線による構造と物性の変化 
(BK16123E)

半導体の放射線による構造と物性の変化 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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メタン

メタン について

, 
水素

水素 について

, 
反応性イオンエッチング

反応性イオンエッチング について

, 
GaAs

GaAs について


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