けい素における単一空格子点形成エンタルピー

DANNEFAER S; MASCHER P; KERR D

文献

J-GLOBAL ID：200902014153385168 整理番号：86A0353845

けい素における単一空格子点形成エンタルピー

Monovacancy formation enthalpy in silicon.

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巻： 56 号： 20 ページ： 2195-2198 発行年： 1986年05月19日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Siにおける陽電子寿命を,温度300-1523Kで測定。T≧...

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半導体の格子欠陥 , 陽電子消滅

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