文献

J-GLOBAL ID：200902014417193696   整理番号：86A0249547

けい素におけるホット電子輸送の熱力学理論

Thermodynamic theory of hot-electron transport in silicon.

著者 (1件)： OHNO Y (NEC Corp., Kawasaki)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 55  号： 2  ページ： 590-598  発行年： 1986年02月 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極めて強い電子-電子散乱条件のもとで,Boltzmann輸送...

シソーラス用語： 半導体 ,...

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分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (16件)：

• 1) E. M. Conwell: High Field Transport in Semiconductors (Academic Press, New York, 1967) Chap. 2.
• 2) R. Stratton: Proc. R. Soc. London A242 (1957) 355.
• 3) H. Froehlich and B. Paranjape: Proc. Phys. Soc. B69 (1956) 21.
• 4) R. K. Cook and J. Frey: IEEE Trans. Electron Devices ED-29 (1982) 970.
• 5) R. S. Huang and P. H. Ladbrooke: J. Appl. Phys. 48 (1977) 4791.

タイトルに関連する用語 (4件)： けい素 ,  電子輸送 ,  熱力学 ,  理論