文献
J-GLOBAL ID：200902014804368275   整理番号：87A0304338

立方晶炭化けい素における深い準位の観測

Observation of deep levels in cubic silicon carbide.
著者 (4件)：
ZHOU P

ZHOU P について

(Howard Univ., Washington, D.C., USA)

Howard Univ., Washington, D.C., USA について

, 
SPENCER M G

SPENCER M G について

(Howard Univ., Washington, D.C., USA)

Howard Univ., Washington, D.C., USA について

, 
HARRIS G L

HARRIS G L について

(Howard Univ., Washington, D.C., USA)

Howard Univ., Washington, D.C., USA について

, 
FEKADE K

FEKADE K について

(Howard Univ., Washington, D.C., USA)

Howard Univ., Washington, D.C., USA について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 50  号： 19  ページ： 1384-1385  発行年： 1987年05月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
Si基板にエピタクシー成長したn型等軸SiCを深準位過渡分光...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
炭化ケイ素

炭化ケイ素 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0304338&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
不純物・欠陥の電子構造 
(BM02100I)

不純物・欠陥の電子構造 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
立方晶

立方晶 について

, 
炭化けい素

炭化けい素 について

, 
深い準位

深い準位 について

, 
観測

観測 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM