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J-GLOBAL ID：200902015721371211   整理番号：81A0295372

cwアルゴンレーザを用いた多結晶Si/Si構造からのシリコンのLPE成長

LPE growth of silicon from poly Si/Si structure using CW argon laser.

著者 (5件)： MINAGAWA S (Stanford Univ., California) ,  LEE K F (Stanford Univ., California) ,  GIBBONS J F (Stanford Univ., California) ,  MAGEE T J (Advanced Research and Applications Corp., California) ,  ORMOND R (Advanced Research and Applications Corp., California)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 128  号： 4  ページ： 848-850  発行年： 1981年04月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型cwアルゴンレーザ光線を用い,多結晶シリコン/シリコン...

シソーラス用語： レーザ照射 ,...
準シソーラス用語： レーザ焼なまし

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (6件)： CW ,  アルゴンレーザ ,  多結晶Si ,  Si ,  シリコン ,  LPE成長