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J-GLOBAL ID：200902016221637971   整理番号：92A0820315

半導体用多結晶シリコンの工業生産技術の開発と進歩

Review on Development of the Production Technology of Semiconductor-grade Polysilicon.

著者 (4件)： 野田敏男 (大阪チタニウム製造) ,  田端一喜 (大阪チタニウム製造) ,  柿川睦男 (大阪チタニウム製造) ,  蔵本誠 (大阪チタニウム製造)
資料名： 日本金属学会会報  (Bulletin of the Japan Institute of Metals)
巻： 31  号： 10  ページ： 910-918  発行年： 1992年10月 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 0021-4426  CODEN： NKZKAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体用多結晶Siの製造技術およびモノシランを原料とした流動...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (28件)：

• (1) 日本金属学会会報, 26 (1989), 5.
• (2) Keith Huestis Butler, et al.: U. S. Patent No.2,773.
• Keith Huestis Butler, et al.: U. S. Patent No.2,745.
• (3) Marcel, Paul: French Patent No.1,217.
• Marcel, Paul: French Patent No.1,812.

タイトルに関連する用語 (3件)： 多結晶シリコン ,  工業 ,  開発