酸化バナジウムのエピタキシャル成長膜の特性評価

ROGERS K D; COATH J A; LOVELL M C

文献

J-GLOBAL ID：200902016340571318 整理番号：91A0772305

酸化バナジウムのエピタキシャル成長膜の特性評価

Characterization of epitaxially grown films of vanadium oxides.

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巻： 70 号： 3 ページ： 1412-1415 発行年： 1991年08月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

マグネトロン反応性スパッタリングでサファイヤ(102)基板上...

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半導体薄膜

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