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文献
J-GLOBAL ID:200902016400421825   整理番号:91A0171233

Si上SrTiO3薄膜キャパシタ中の高キャパシタンス密度実現バリア層

Barrier layers for realization of high capacitance density in SrTiO3 thin-film capacitor on silicon.
著者 (5件):
資料名:
巻: 57  号: 23  ページ: 2431-2433  発行年: 1990年12月03日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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DRAM用キャパシタとしてSrTiO3...
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分類 (3件):
分類
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金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  ,  酸化物薄膜  ,  半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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