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J-GLOBAL ID：200902016400421825   整理番号：91A0171233

Si上SrTiO₃薄膜キャパシタ中の高キャパシタンス密度実現バリア層

Barrier layers for realization of high capacitance density in SrTiO₃ thin-film capacitor on silicon.

著者 (5件)： SAKUMA T (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  YAMAMICHI S (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  MATSUBARA S (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  YAMAGUCHI H (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  MIYASAKA Y (NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 57  号： 23  ページ： 2431-2433  発行年： 1990年12月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DRAM用キャパシタとしてSrTiO₃...

シソーラス用語： チタン酸ストロンチウム ,...
準シソーラス用語： MISキャパシタ ,...

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分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  薄膜キャパシタ ,  キャパシタンス ,  密度 ,  バリア層