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J-GLOBAL ID：200902016630355317   整理番号：89A0569337

Si(111)7×7表面のClとの反応により付着原子を除去した後の残留原子層の走査トンネル顕微鏡による研究

Scanning-tunneling-microscopy study of the Si(111)-7×7 rest-atom layer following adatom removal by reaction with Cl.

著者 (2件)： VILLARRUBIA J S (IBM Research Division, New York) ,  BOLAND J J (IBM Research Division, New York)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 63  号： 3  ページ： 306-309  発行年： 1989年07月17日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)7×7とClとの反応により,表面構造が広範囲に...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： STM

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  Cl ,  原子 ,  残留 ,  原子層 ,  走査トンネル顕微鏡 ,  研究