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J-GLOBAL ID：200902016649423860   整理番号：81A0379067

n-Si上の希土類けい化物の低いSchottky障壁

Low Schottky barrier of rare-earth silicide on n-Si.

著者 (3件)： TU K N (IBM, New York) ,  THOMPSON R D (IBM, New York) ,  TSAUR B Y (IBM, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 38  号： 8  ページ： 626-628  発行年： 1981年04月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 350°CでnとpのSi上に反応法を用いてDy,Er,Gd,...

シソーラス用語： Schottky障壁 ,...

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分類 (1件)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  希土類 ,  けい化物 ,  Schottky障壁