単結晶金属-半導体界面でのSchottky障壁形成

TUNG R T

文献

J-GLOBAL ID：200902017091920087 整理番号：84A0333616

単結晶金属-半導体界面でのSchottky障壁形成

Schottky-barrier formation at single-crystal metal-semiconductor interfaces.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 52 号： 6 ページ： 461-464 発行年： 1984年02月06日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

n型Si(111)上に超高真空下2種類(A,B)のNiSi<...

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半導体-金属接触【’81~’92】

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